FDMC86184 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 61.26 грн |
| 6000+ | 56.77 грн |
| 9000+ | 54.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC86184 onsemi
Description: ONSEMI - FDMC86184 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.0064 ohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 57A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 54W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0064ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDMC86184 за ціною від 56.99 грн до 169.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC86184 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86184 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.0064 ohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 54W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 1391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC86184 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 50 V |
на замовлення 9710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC86184 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET |
на замовлення 31904 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC86184 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86184 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.0064 ohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 54W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0064ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 1391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC86184 | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET |
на замовлення 4851 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
FDMC86184 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDMC86184 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDMC86184 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; Idm: 266A; 54W; Power33 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A On-state resistance: 18mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 54W Polarisation: unipolar Gate charge: 30nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 266A Mounting: SMD Case: Power33 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| FDMC86184 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; Idm: 266A; 54W; Power33 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A On-state resistance: 18mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 54W Polarisation: unipolar Gate charge: 30nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 266A Mounting: SMD Case: Power33 |
товар відсутній |