Продукція > ONSEMI > FDMC8622
FDMC8622

FDMC8622 onsemi

fdmc8622-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 402 pF @ 50 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+46.56 грн
6000+43.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC8622 onsemi

Description: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMC8622 за ціною від 40.57 грн до 148.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMC8622 FDMC8622 Виробник : ONSEMI 2304884.pdf Description: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 31W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+81.24 грн
500+65.07 грн
1000+49.02 грн
3000+46.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8622 FDMC8622 Виробник : onsemi fdmc8622-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 402 pF @ 50 V
на замовлення 20076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.49 грн
10+93.77 грн
100+70.57 грн
500+50.68 грн
1000+46.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8622 FDMC8622 Виробник : onsemi / Fairchild FDMC8622-D.PDF MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.43 грн
10+105.64 грн
100+62.54 грн
500+49.83 грн
1000+46.92 грн
3000+40.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8622 FDMC8622 Виробник : ONSEMI fdmc8622-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+148.56 грн
10+114.21 грн
100+78.23 грн
500+57.89 грн
1000+50.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8622 FDMC8622 Виробник : ON Semiconductor fdmc8622-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8622 FDMC8622 Виробник : ON Semiconductor fdmc8622-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8622 FDMC8622 Виробник : ON Semiconductor fdmc8622-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8622 FDMC8622 Виробник : ON Semiconductor fdmc8622-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8622 Виробник : ONSEMI fdmc8622-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; Idm: 30A; 31W; WDFN8
Gate charge: 7.3nC
On-state resistance: 98mΩ
Power dissipation: 31W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: WDFN8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 30A
Drain current: 16A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.