| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 135.76 грн |
| 10+ | 103.60 грн |
| 100+ | 61.34 грн |
| 500+ | 48.87 грн |
| 1000+ | 46.02 грн |
| 3000+ | 39.79 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC8622 onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDMC8622 за ціною від 45.95 грн до 182.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC8622 | onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 402 pF @ 50 V |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMC8622 | onsemi |
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 10540 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMC8622 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
FDMC8622 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R |
на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
FDMC8622 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDMC8622 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 402 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 402 pF @ 50 V
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 173.40 грн |
| 10+ | 107.43 грн |
| 50+ | 81.54 грн |
| 100+ | 68.68 грн |
| FDMC8622 |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 10540 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 182.18 грн |
| 10+ | 115.69 грн |
| 100+ | 68.47 грн |
| 500+ | 54.50 грн |
| 1000+ | 50.07 грн |
| 3000+ | 45.95 грн |
| FDMC8622 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDMC8622 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDMC8622 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)