Продукція > ONSEMI > FDMC8622
FDMC8622

FDMC8622 onsemi

fdmc8622-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 402 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+43.57 грн
6000+41.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC8622 onsemi

Description: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDMC8622 за ціною від 43.55 грн до 123.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMC8622 FDMC8622 onsemi fdmc8622-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 402 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
на замовлення 20076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.99 грн
10+87.75 грн
100+66.04 грн
500+47.42 грн
1000+43.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8622 FDMC8622 ONSEMI 2304884.pdf Description: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8622 FDMC8622 onsemi fdmc8622-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 10540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8622 FDMC8622 onsemi / Fairchild FDMC8622-D.PDF MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8622 FDMC8622 ONSEMI 2304884.pdf Description: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8622 fdmc8622-d.pdf
FDMC8622
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 402 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
на замовлення 20076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+123.99 грн
10+87.75 грн
100+66.04 грн
500+47.42 грн
1000+43.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8622 2304884.pdf
FDMC8622
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8622 fdmc8622-d.pdf
FDMC8622
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 10540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8622 FDMC8622-D.PDF
FDMC8622
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8622 2304884.pdf
FDMC8622
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.