FDMC8622 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 402 pF @ 50 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 44.64 грн |
| 6000+ | 42.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC8622 onsemi
Description: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDMC8622 за ціною від 43.01 грн до 141.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC8622 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 31W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 5378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMC8622 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 18684 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC8622 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 402 pF @ 50 V |
на замовлення 20076 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC8622 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMC8622 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R |
на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
FDMC8622 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FDMC8622 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
FDMC8622 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FDMC8622 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; Idm: 30A; 31W; WDFN8 Case: WDFN8 Drain-source voltage: 100V Drain current: 16A On-state resistance: 98mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 31W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 7.3nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 30A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| FDMC8622 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; Idm: 30A; 31W; WDFN8 Case: WDFN8 Drain-source voltage: 100V Drain current: 16A On-state resistance: 98mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 31W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 7.3nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 30A Mounting: SMD |
товару немає в наявності |