FDMC86240 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 72.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC86240 onsemi
Description: ONSEMI - FDMC86240 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 16 A, 0.0447 ohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0447ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDMC86240 за ціною від 65.09 грн до 182.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDMC86240 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMC86240 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMC86240 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMC86240 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86240 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 16 A, 0.0447 ohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0447ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 5996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMC86240 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V |
на замовлення 4875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMC86240 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMC86240 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 62721 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMC86240 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMC86240 | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 6769 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FDMC86240 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDMC86240 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDMC86240 | Виробник : ONSEMI | FDMC86240 SMD N channel transistors |
товар відсутній |