FDMC86240 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC86240 onsemi
Description: ONSEMI - FDMC86240 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 16 A, 0.0447 ohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0447ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDMC86240 за ціною від 72.92 грн до 210.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMC86240 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 2013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMC86240 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 2013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMC86240 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 6877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMC86240 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 67322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMC86240 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8MLPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V |
на замовлення 15451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMC86240 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86240 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 16 A, 0.0447 ohm, MLP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0447ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
FDMC86240 | ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 6769 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
FDMC86240 | onsemi |
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 51633 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
FDMC86240 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 60486 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDMC86240 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 142.42 грн |
| 10+ | 119.55 грн |
| 25+ | 118.35 грн |
| 100+ | 107.51 грн |
| 250+ | 97.71 грн |
| 500+ | 93.57 грн |
| 1000+ | 93.34 грн |
| FDMC86240 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 142.42 грн |
| 119+ | 119.55 грн |
| 120+ | 118.35 грн |
| 127+ | 107.51 грн |
| 250+ | 97.71 грн |
| 500+ | 93.57 грн |
| 1000+ | 93.34 грн |
| FDMC86240 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 209+ | 169.72 грн |
| 500+ | 153.22 грн |
| 1000+ | 141.44 грн |
| FDMC86240 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 67322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 209+ | 169.72 грн |
| 500+ | 153.22 грн |
| 1000+ | 141.44 грн |
| 10000+ | 121.61 грн |
| FDMC86240 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
на замовлення 15451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 210.77 грн |
| 10+ | 131.85 грн |
| 100+ | 91.47 грн |
| 500+ | 72.92 грн |
| FDMC86240 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86240 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 16 A, 0.0447 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0447ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FDMC86240 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 16 A, 0.0447 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0447ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDMC86240 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDMC86240 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 51633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDMC86240 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 60486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




