FDMC86259P onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 3.2A/13A PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 75 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 90.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC86259P onsemi
Description: ONSEMI - FDMC86259P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.087 ohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FDMC86259P за ціною від 100.55 грн до 204.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC86259P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86259P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.087 ohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 62W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC86259P | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs PT5 150/25V PchMOSFET |
на замовлення 4351 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC86259P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86259P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.087 ohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 62W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC86259P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 150V 3.2A/13A PWR33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 75 V |
на замовлення 13887 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC86259P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 3.2A 8-Pin Power QFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FDMC86259P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; Idm: -20A; 62W; Power33 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -13A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 62W Case: Power33 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 178mΩ Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| FDMC86259P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; Idm: -20A; 62W; Power33 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -13A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 62W Case: Power33 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 178mΩ Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |