Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMC86260
FDMC86260

FDMC86260 ON Semiconductor

fdmc86260-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+104.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC86260 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMC86260 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.034 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDMC86260 за ціною від 79.35 грн до 239.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMC86260 FDMC86260 ON Semiconductor fdmc86260-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+104.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260 FDMC86260 ON Semiconductor fdmc86260-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+229.71 грн
10+191.49 грн
25+188.21 грн
100+144.07 грн
250+126.65 грн
500+110.48 грн
1000+90.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260 FDMC86260 ON Semiconductor fdmc86260-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+229.71 грн
75+191.49 грн
76+188.21 грн
100+144.07 грн
250+126.65 грн
500+110.48 грн
1000+90.02 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260 FDMC86260 onsemi fdmc86260-d.pdf Description: MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.98 грн
10+150.85 грн
100+104.99 грн
500+80.15 грн
1000+79.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260 FDMC86260 onsemi fdmc86260-d.pdf MOSFETs NChan Sngle 150V 16A PowerTrench MOSFET
на замовлення 59409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260 FDMC86260 onsemi / Fairchild FDMC86260-D.PDF MOSFETs NChan Sngle 150V 16A PowerTrench MOSFET
на замовлення 69505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260 FDMC86260 ONSEMI 2729291.pdf Description: ONSEMI - FDMC86260 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.034 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260 FDMC86260 ONSEMI 2729291.pdf Description: ONSEMI - FDMC86260 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.034 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260 Fairchild/ON Semiconductor FDMC86260_D-2312611.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 16 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1000 @ 75, Qg, нКл = 15, Rds = 34 мОм, Ugs(th) = 2,7 В, Р, Вт = 54, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: Power-33-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+103.10 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260 fdmc86260-d.pdf
FDMC86260
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+104.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260 fdmc86260-d.pdf
FDMC86260
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+229.71 грн
10+191.49 грн
25+188.21 грн
100+144.07 грн
250+126.65 грн
500+110.48 грн
1000+90.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260 fdmc86260-d.pdf
FDMC86260
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
62+229.71 грн
75+191.49 грн
76+188.21 грн
100+144.07 грн
250+126.65 грн
500+110.48 грн
1000+90.02 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260 fdmc86260-d.pdf
FDMC86260
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+239.98 грн
10+150.85 грн
100+104.99 грн
500+80.15 грн
1000+79.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260 fdmc86260-d.pdf
FDMC86260
Виробник: onsemi
MOSFETs NChan Sngle 150V 16A PowerTrench MOSFET
на замовлення 59409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260 FDMC86260-D.PDF
FDMC86260
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs NChan Sngle 150V 16A PowerTrench MOSFET
на замовлення 69505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260 2729291.pdf
FDMC86260
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86260 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.034 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260 2729291.pdf
FDMC86260
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86260 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.034 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260 FDMC86260_D-2312611.pdf
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 16 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1000 @ 75, Qg, нКл = 15, Rds = 34 мОм, Ugs(th) = 2,7 В, Р, Вт = 54, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: Power-33-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+103.10 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.