Продукція > ONSEMI > FDMC86260ET150
FDMC86260ET150

FDMC86260ET150 onsemi


fdmc86260et150-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+75.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC86260ET150 onsemi

Description: MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: Power33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V.

Інші пропозиції FDMC86260ET150 за ціною від 65.52 грн до 239.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMC86260ET150 FDMC86260ET150 Виробник : ON Semiconductor fdmc86260et150-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
133+93.84 грн
145+85.98 грн
148+81.54 грн
250+74.23 грн
500+70.04 грн
1000+68.83 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ET150 FDMC86260ET150 Виробник : ON Semiconductor fdmc86260et150-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+100.55 грн
10+92.42 грн
25+92.12 грн
100+87.36 грн
250+79.53 грн
500+75.04 грн
1000+73.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ET150 FDMC86260ET150 Виробник : ON Semiconductor fdmc86260et150-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
304+102.29 грн
500+97.94 грн
Мінімальне замовлення: 304
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ET150 FDMC86260ET150 Виробник : ON Semiconductor fdmc86260et150-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
304+102.29 грн
500+97.94 грн
1000+92.49 грн
Мінімальне замовлення: 304
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ET150 FDMC86260ET150 Виробник : onsemi / Fairchild FDMC86260ET150-D.PDF MOSFETs 150V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 8326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.40 грн
10+96.42 грн
100+77.48 грн
1000+74.14 грн
3000+65.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ET150 FDMC86260ET150 Виробник : onsemi fdmc86260et150-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V
на замовлення 6265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+239.34 грн
10+149.52 грн
100+103.43 грн
500+78.60 грн
1000+72.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ET150 FDMC86260ET150 Виробник : ON Semiconductor fdmc86260et150jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ET150 FDMC86260ET150 Виробник : ON Semiconductor fdmc86260et150-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ET150 Виробник : ONSEMI fdmc86260et150-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; Idm: 116A; 65W; Power33
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 69mΩ
Power dissipation: 65W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: Power33
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Pulsed drain current: 116A
Drain current: 18A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.