Продукція > ONSEMI > FDMC86260ET150
FDMC86260ET150

FDMC86260ET150 onsemi

fdmc86260et150-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 25A (Tc)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+70.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC86260ET150 onsemi

Description: MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: Power33, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 25A (Tc).

Інші пропозиції FDMC86260ET150 за ціною від 58.93 грн до 237.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDMC86260ET150 FDMC86260ET150 onsemi / Fairchild FDMC86260ET150-D.PDF MOSFETs 150V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 8326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.20 грн
10+86.73 грн
100+69.69 грн
1000+66.69 грн
3000+58.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ET150 FDMC86260ET150 ON Semiconductor fdmc86260et150-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.47 грн
500+144.11 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ET150 FDMC86260ET150 ON Semiconductor fdmc86260et150-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.47 грн
500+144.11 грн
1000+132.30 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ET150 FDMC86260ET150 onsemi fdmc86260et150-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.88 грн
10+139.87 грн
100+96.75 грн
500+73.52 грн
1000+67.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ET150 FDMC86260ET150 onsemi fdmc86260et150-d.pdf MOSFETs 150V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 6979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+237.88 грн
10+153.38 грн
100+92.17 грн
500+75.41 грн
1000+73.32 грн
3000+67.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ET150 FDMC86260ET150-D.PDF
FDMC86260ET150
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 150V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 8326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+100.20 грн
10+86.73 грн
100+69.69 грн
1000+66.69 грн
3000+58.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ET150 fdmc86260et150-d.pdf
FDMC86260ET150
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
223+159.47 грн
500+144.11 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ET150 fdmc86260et150-d.pdf
FDMC86260ET150
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
223+159.47 грн
500+144.11 грн
1000+132.30 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ET150 fdmc86260et150-d.pdf
FDMC86260ET150
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+223.88 грн
10+139.87 грн
100+96.75 грн
500+73.52 грн
1000+67.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86260ET150 fdmc86260et150-d.pdf
FDMC86260ET150
Виробник: onsemi
MOSFETs 150V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 6979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+237.88 грн
10+153.38 грн
100+92.17 грн
500+75.41 грн
1000+73.32 грн
3000+67.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.