FDMC86260ET150 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 71.55 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC86260ET150 onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: Power33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V.
Інші пропозиції FDMC86260ET150 за ціною від 63.36 грн до 255.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMC86260ET150 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 150V N-Channel Power Trench MOSFET |
на замовлення 8326 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMC86260ET150 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power QFN EP T/R |
на замовлення 2580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMC86260ET150 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power QFN EP T/R |
на замовлення 2580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMC86260ET150 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMC86260ET150 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 2665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMC86260ET150 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V |
на замовлення 6265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC86260ET150 | onsemi |
MOSFETs 150V N-Channel Power Trench MOSFET |
на замовлення 6979 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| FDMC86260ET150 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 150V N-Channel Power Trench MOSFET
MOSFETs 150V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 8326 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 107.73 грн |
| 10+ | 93.24 грн |
| 100+ | 74.92 грн |
| 1000+ | 71.70 грн |
| 3000+ | 63.36 грн |
| FDMC86260ET150 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power QFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 110.29 грн |
| 10+ | 101.38 грн |
| 25+ | 101.05 грн |
| 100+ | 95.83 грн |
| 250+ | 87.24 грн |
| 500+ | 82.32 грн |
| 1000+ | 80.89 грн |
| FDMC86260ET150 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power QFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 133+ | 110.29 грн |
| 145+ | 101.05 грн |
| 148+ | 95.83 грн |
| 250+ | 87.24 грн |
| 500+ | 82.32 грн |
| 1000+ | 80.89 грн |
| FDMC86260ET150 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 223+ | 164.43 грн |
| 500+ | 148.60 грн |
| FDMC86260ET150 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 223+ | 164.43 грн |
| 500+ | 148.60 грн |
| 1000+ | 136.42 грн |
| FDMC86260ET150 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V
Description: MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V
на замовлення 6265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 225.66 грн |
| 10+ | 140.98 грн |
| 100+ | 97.52 грн |
| 500+ | 74.11 грн |
| 1000+ | 68.51 грн |
| FDMC86260ET150 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 150V N-Channel Power Trench MOSFET
MOSFETs 150V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 6979 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 255.75 грн |
| 10+ | 164.90 грн |
| 100+ | 99.10 грн |
| 500+ | 81.08 грн |
| 1000+ | 78.83 грн |
| 3000+ | 72.97 грн |



