Продукція > ONSEMI > FDMC86261P
FDMC86261P

FDMC86261P onsemi

fdmc86261p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+51.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC86261P onsemi

Description: ONSEMI - FDMC86261P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.16 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 40W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm.

Інші пропозиції FDMC86261P за ціною від 56.87 грн до 187.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMC86261P FDMC86261P ON Semiconductor fdmc86261p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.82 грн
10+86.46 грн
25+85.11 грн
100+80.76 грн
250+73.57 грн
500+69.47 грн
1000+68.30 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261P FDMC86261P ON Semiconductor fdmc86261p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+87.82 грн
163+86.46 грн
166+85.11 грн
168+80.76 грн
250+73.57 грн
500+69.47 грн
1000+68.30 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261P FDMC86261P ON Semiconductor fdmc86261p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+138.20 грн
126+111.67 грн
152+92.76 грн
500+77.93 грн
1000+70.75 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261P FDMC86261P onsemi fdmc86261p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 75 V
на замовлення 4211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.81 грн
10+116.89 грн
100+80.24 грн
500+60.59 грн
1000+56.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261P FDMC86261P ONSEMI 2729287.pdf Description: ONSEMI - FDMC86261P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.16 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 4528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261P FDMC86261P onsemi fdmc86261p-d.pdf MOSFETs -150 P-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 5195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261P FDMC86261P onsemi / Fairchild FDMC86261P-D.PDF MOSFETs -150 P-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 12883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261P FDMC86261P ONSEMI 2729287.pdf Description: ONSEMI - FDMC86261P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.16 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 4528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261P ONN fdmc86261p-d.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261P fdmc86261p-d.pdf
FDMC86261P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+87.82 грн
10+86.46 грн
25+85.11 грн
100+80.76 грн
250+73.57 грн
500+69.47 грн
1000+68.30 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261P fdmc86261p-d.pdf
FDMC86261P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
160+87.82 грн
163+86.46 грн
166+85.11 грн
168+80.76 грн
250+73.57 грн
500+69.47 грн
1000+68.30 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261P fdmc86261p-d.pdf
FDMC86261P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
102+138.20 грн
126+111.67 грн
152+92.76 грн
500+77.93 грн
1000+70.75 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261P fdmc86261p-d.pdf
FDMC86261P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 75 V
на замовлення 4211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+187.81 грн
10+116.89 грн
100+80.24 грн
500+60.59 грн
1000+56.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261P 2729287.pdf
FDMC86261P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86261P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.16 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 4528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261P fdmc86261p-d.pdf
FDMC86261P
Виробник: onsemi
MOSFETs -150 P-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 5195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261P FDMC86261P-D.PDF
FDMC86261P
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs -150 P-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 12883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261P 2729287.pdf
FDMC86261P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86261P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.16 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 4528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86261P fdmc86261p-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.