Продукція > ONSEMI > FDMC86261P
FDMC86261P

FDMC86261P onsemi

fdmc86261p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 75 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+52.71 грн
6000+ 48.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC86261P onsemi

Description: MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 75 V.

Інші пропозиції FDMC86261P за ціною від 50.15 грн до 140.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMC86261P FDMC86261P Виробник : ONSEMI 2729287.pdf Description: ONSEMI - FDMC86261P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.13 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+89.12 грн
500+ 56.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDMC86261P FDMC86261P Виробник : onsemi fdmc86261p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 75 V
на замовлення 6761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.99 грн
10+ 93.54 грн
100+ 74.42 грн
500+ 59.1 грн
1000+ 50.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMC86261P FDMC86261P Виробник : onsemi / Fairchild FDMC86261P_D-2312516.pdf MOSFET P-Channel PowerTrench MOSFET -150V, -9A, 160mohm
на замовлення 25874 шт:
термін постачання 272-281 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.07 грн
10+ 115.16 грн
100+ 81.45 грн
500+ 69.43 грн
1000+ 56.55 грн
3000+ 52.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMC86261P FDMC86261P Виробник : ONSEMI 2729287.pdf Description: ONSEMI - FDMC86261P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.13 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+140.05 грн
10+ 113.09 грн
100+ 89.12 грн
500+ 56.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDMC86261P FDMC86261P Виробник : ON Semiconductor 3648784628646336fdmc86261p.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
FDMC86261P FDMC86261P Виробник : ON Semiconductor 3648784628646336fdmc86261p.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
FDMC86261P FDMC86261P Виробник : ON Semiconductor fdmc86261pcn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
FDMC86261P Виробник : ONSEMI fdmc86261p-d.pdf FDMC86261P SMD P channel transistors
товар відсутній