FDMC86261P onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 75 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 56.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC86261P onsemi
Description: ONSEMI - FDMC86261P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.13 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDMC86261P за ціною від 43.81 грн до 167.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC86261P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86261P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.13 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMC86261P | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs -150 P-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET |
на замовлення 12883 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC86261P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86261P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.16 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC86261P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 75 V |
на замовлення 6535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMC86261P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FDMC86261P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
FDMC86261P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FDMC86261P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -9A; Idm: -20A; 40W; Power33 Gate charge: 24nC On-state resistance: 269mΩ Power dissipation: 40W Gate-source voltage: ±25V Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: Power33 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Pulsed drain current: -20A Drain current: -9A |
товару немає в наявності |