FDMC86262P onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 307mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 75 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 34.81 грн |
| 6000+ | 31.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC86262P onsemi
Description: ONSEMI - FDMC86262P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.4 A, 0.307 ohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 40W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: Power 33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.241ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.307ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDMC86262P за ціною від 30.03 грн до 174.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC86262P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC86262P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC86262P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMC86262P | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs P-Channel PowerTrench MOSFET -150 V, -2 A, 307 mO |
на замовлення 23150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMC86262P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86262P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.4 A, 0.307 ohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 40W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: Power 33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.241ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.307ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2887 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC86262P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 5728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC86262P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 8.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 307mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 75 V |
на замовлення 11099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC86262P | Виробник : onsemi |
MOSFETs P-Channel PowerTrench MOSFET -150 V, -2 A, 307 mO |
на замовлення 18870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC86262P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86262P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.4 A, 0.307 ohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.307ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2887 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC86262P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| FDMC86262P | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |