FDMC86262P onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 307mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 75 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 35.51 грн |
| 6000+ | 31.89 грн |
| 9000+ | 31.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC86262P onsemi
Description: ONSEMI - FDMC86262P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.4 A, 0.241 ohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 40W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: Power 33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.241ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.241ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDMC86262P за ціною від 32.69 грн до 130.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC86262P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86262P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.4 A, 0.241 ohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 40W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: Power 33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.241ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.241ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMC86262P | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs P-Channel PowerTrench MOSFET -150 V, -2 A, 307 mO |
на замовлення 23150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMC86262P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC86262P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86262P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.4 A, 0.241 ohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.241ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC86262P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC86262P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 8.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 307mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 75 V |
на замовлення 19426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDMC86262P | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
FDMC86262P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FDMC86262P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FDMC86262P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -2A; Idm: -35A; 40W; WDFN8 Gate charge: 9.1nC On-state resistance: 307mΩ Power dissipation: 40W Gate-source voltage: ±25V Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: WDFN8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Pulsed drain current: -35A Drain current: -2A |
товару немає в наявності |