Продукція > ONSEMI > FDMC86262P
FDMC86262P

FDMC86262P onsemi

fdmc86262p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 307mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 75 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+34.37 грн
6000+30.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC86262P onsemi

Description: ONSEMI - FDMC86262P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.4 A, 0.307 ohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 40W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: Power 33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.241ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.307ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDMC86262P за ціною від 37.64 грн до 134.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMC86262P FDMC86262P ON Semiconductor fdmc86262p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262P FDMC86262P ON Semiconductor fdmc86262p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262P FDMC86262P ON Semiconductor fdmc86262p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.85 грн
15+53.24 грн
25+49.82 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262P FDMC86262P ON Semiconductor fdmc86262p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 5728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
457+77.51 грн
507+69.76 грн
1000+64.33 грн
Мінімальне замовлення: 457 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262P FDMC86262P onsemi fdmc86262p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 307mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 75 V
на замовлення 8083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.06 грн
10+82.16 грн
100+55.29 грн
500+41.11 грн
1000+37.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262P FDMC86262P ONSEMI 2724473.pdf Description: ONSEMI - FDMC86262P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.4 A, 0.307 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.307ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262P FDMC86262P onsemi fdmc86262p-d.pdf MOSFETs P-Channel PowerTrench MOSFET -150 V, -2 A, 307 mO
на замовлення 18870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262P FDMC86262P onsemi / Fairchild FDMC86262P-D.PDF MOSFETs P-Channel PowerTrench MOSFET -150 V, -2 A, 307 mO
на замовлення 23150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262P FDMC86262P ON Semiconductor fdmc86262p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262P FDMC86262P ONSEMI 2724473.pdf Description: ONSEMI - FDMC86262P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.4 A, 0.307 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: Power 33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.241ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.307ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262P ON Semiconductor fdmc86262p-d.pdf
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262P fdmc86262p-d.pdf
FDMC86262P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262P fdmc86262p-d.pdf
FDMC86262P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+46.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262P fdmc86262p-d.pdf
FDMC86262P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+57.85 грн
15+53.24 грн
25+49.82 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262P fdmc86262p-d.pdf
FDMC86262P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 5728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
457+77.51 грн
507+69.76 грн
1000+64.33 грн
Мінімальне замовлення: 457 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262P fdmc86262p-d.pdf
FDMC86262P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 307mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 75 V
на замовлення 8083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.06 грн
10+82.16 грн
100+55.29 грн
500+41.11 грн
1000+37.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262P 2724473.pdf
FDMC86262P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86262P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.4 A, 0.307 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.307ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262P fdmc86262p-d.pdf
FDMC86262P
Виробник: onsemi
MOSFETs P-Channel PowerTrench MOSFET -150 V, -2 A, 307 mO
на замовлення 18870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262P FDMC86262P-D.PDF
FDMC86262P
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs P-Channel PowerTrench MOSFET -150 V, -2 A, 307 mO
на замовлення 23150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262P fdmc86262p-d.pdf
FDMC86262P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262P 2724473.pdf
FDMC86262P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86262P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.4 A, 0.307 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: Power 33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.241ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.307ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86262P fdmc86262p-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.