
FDMC86265P onsemi / Fairchild
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 145.91 грн |
10+ | 129.44 грн |
100+ | 87.55 грн |
500+ | 72.46 грн |
1000+ | 57.90 грн |
3000+ | 53.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC86265P onsemi / Fairchild
Description: MOSFET P-CH 150V 1A/1.8A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 16W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V.
Інші пропозиції FDMC86265P за ціною від 101.54 грн до 164.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDMC86265P | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 16W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
FDMC86265P | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||
![]() |
FDMC86265P | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 16W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V |
товару немає в наявності |