FDMC86265P onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 150V 1A/1.8A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 161.89 грн |
| 10+ | 99.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC86265P onsemi
Description: MOSFET P-CH 150V 1A/1.8A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 16W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V.
Інші пропозиції FDMC86265P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMC86265P | onsemi / Fairchild |
MOSFET PT5 150V/25V Pch PowerTrench Mosfet |
на замовлення 670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDMC86265P |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET PT5 150V/25V Pch PowerTrench Mosfet
MOSFET PT5 150V/25V Pch PowerTrench Mosfet
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)


