FDMC86320 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 10.7A/22A 8MLP
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 59.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC86320 onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 10.7A/22A 8MLP, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.7A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 22A (Tc), FET Type: N-Channel.
Інші пропозиції FDMC86320 за ціною від 51.58 грн до 200.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMC86320 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.7A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 4813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMC86320 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.7A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 7921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMC86320 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.7A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMC86320 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.7A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 7272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMC86320 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 10.7A/22A 8MLPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V |
на замовлення 5388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC86320 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 5377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC86320 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMC86320 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.7A 8-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
