 
FDMC86320 onsemi
 Виробник: onsemi
                                                Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 10.7A/22A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3000+ | 62.34 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC86320 onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 10.7A/22A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V. 
Інші пропозиції FDMC86320 за ціною від 56.51 грн до 147.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | FDMC86320 | Виробник : onsemi |  Description: MOSFET N-CH 80V 10.7A/22A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V | на замовлення 5388 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | FDMC86320 | Виробник : onsemi / Fairchild |  MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 5377 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | FDMC86320 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.7A 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
|   | FDMC86320 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.7A 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності |