FDMC86340 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3885 pF @ 40 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 61.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC86340 onsemi
Description: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.0065 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDMC86340 за ціною від 52.02 грн до 206.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC86340 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC86340 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC86340 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.0065 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 3370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC86340 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC86340 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 4012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC86340 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 1748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC86340 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 80V N Chan Shielded Gate Power Trench |
на замовлення 9243 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC86340 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.0065 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 3370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC86340 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3885 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Supplier Device Package: Power33 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 5281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC86340 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 80V N Chan Shielded Gate Power Trench |
на замовлення 1026 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|