FDMC86340 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3885 pF @ 40 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC86340 onsemi
Description: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.0065 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, Verlustleistung: 54W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm.
Інші пропозиції FDMC86340 за ціною від 59.13 грн до 198.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMC86340 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMC86340 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMC86340 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMC86340 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 4012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMC86340 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 1748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMC86340 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3885 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Supplier Device Package: Power33 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 5281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMC86340 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.0065 ohm, PQFN, OberflächenmontagetariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V Verlustleistung: 54W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm |
на замовлення 3370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
FDMC86340 | onsemi |
MOSFETs 80V N Chan Shielded Gate Power Trench |
на замовлення 1026 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
FDMC86340 | onsemi / Fairchild |
MOSFET 80V N Chan Shielded Gate Power Trench |
на замовлення 9243 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FDMC86340 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.0065 ohm, PQFN, OberflächenmontagetariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V Verlustleistung: 54W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm |
на замовлення 3370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDMC86340 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 71.51 грн |
| FDMC86340 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 198+ | 71.51 грн |
| FDMC86340 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 273+ | 129.65 грн |
| FDMC86340 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 4012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 273+ | 129.65 грн |
| 500+ | 116.68 грн |
| 1000+ | 107.61 грн |
| FDMC86340 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 273+ | 129.65 грн |
| 500+ | 116.68 грн |
| 1000+ | 107.61 грн |
| FDMC86340 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3885 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3885 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 198.38 грн |
| 10+ | 123.27 грн |
| 100+ | 84.78 грн |
| 500+ | 64.10 грн |
| 1000+ | 59.13 грн |
| FDMC86340 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.0065 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
Description: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.0065 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDMC86340 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 80V N Chan Shielded Gate Power Trench
MOSFETs 80V N Chan Shielded Gate Power Trench
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDMC86340 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 80V N Chan Shielded Gate Power Trench
MOSFET 80V N Chan Shielded Gate Power Trench
на замовлення 9243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDMC86340 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.0065 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
Description: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.0065 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




