FDMC86340 onsemi


fdmc86340-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3885 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+60.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC86340 onsemi

Description: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.0065 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, Verlustleistung: 54W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm.

Інші пропозиції FDMC86340 за ціною від 59.13 грн до 198.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMC86340 FDMC86340 ON Semiconductor fdmc86340-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.51 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340 FDMC86340 ON Semiconductor fdmc86340-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+71.51 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340 FDMC86340 ON Semiconductor fdmc86340-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+129.65 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340 FDMC86340 ON Semiconductor fdmc86340-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 4012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+129.65 грн
500+116.68 грн
1000+107.61 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340 FDMC86340 ON Semiconductor fdmc86340-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+129.65 грн
500+116.68 грн
1000+107.61 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340 FDMC86340 onsemi fdmc86340-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3885 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.38 грн
10+123.27 грн
100+84.78 грн
500+64.10 грн
1000+59.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340 FDMC86340 ONSEMI fdmc86340-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.0065 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340 FDMC86340 onsemi fdmc86340-d.pdf MOSFETs 80V N Chan Shielded Gate Power Trench
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340 FDMC86340 onsemi / Fairchild FDMC86340_D-2312699.pdf MOSFET 80V N Chan Shielded Gate Power Trench
на замовлення 9243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340 FDMC86340 ONSEMI fdmc86340-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.0065 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340 fdmc86340-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+71.51 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340 fdmc86340-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
198+71.51 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340 fdmc86340-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
273+129.65 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340 fdmc86340-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 4012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
273+129.65 грн
500+116.68 грн
1000+107.61 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340 fdmc86340-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
273+129.65 грн
500+116.68 грн
1000+107.61 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340 fdmc86340-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3885 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+198.38 грн
10+123.27 грн
100+84.78 грн
500+64.10 грн
1000+59.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340 fdmc86340-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.0065 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340 fdmc86340-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs 80V N Chan Shielded Gate Power Trench
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340 FDMC86340_D-2312699.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 80V N Chan Shielded Gate Power Trench
на замовлення 9243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86340 fdmc86340-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.0065 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.