Продукція > ONSEMI > FDMC86570L
FDMC86570L

FDMC86570L onsemi

fdmc86570l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 18A/56A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6705 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+96.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC86570L onsemi

Description: ONSEMI - FDMC86570L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 3100 µohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 84A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDMC86570L за ціною від 85.19 грн до 316.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDMC86570L FDMC86570L ONSEMI 2572522.pdf Description: ONSEMI - FDMC86570L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 3100 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+161.30 грн
500+124.82 грн
1000+107.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570L FDMC86570L onsemi / Fairchild FDMC86570L_D-2312636.pdf MOSFETs 60V N Chan Shielded Gate Power Trench
на замовлення 10398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.30 грн
10+148.56 грн
25+127.09 грн
100+99.85 грн
250+95.66 грн
500+85.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570L FDMC86570L onsemi fdmc86570l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 18A/56A POWER33
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6705 pF @ 30 V
на замовлення 4308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.45 грн
10+166.27 грн
100+129.34 грн
500+104.37 грн
1000+90.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570L FDMC86570L onsemi fdmc86570l-d.pdf MOSFETs 60V N Chan Shielded Gate Power Trench
на замовлення 3620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+294.91 грн
10+191.12 грн
100+116.61 грн
500+97.06 грн
3000+90.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570L FDMC86570L ONSEMI 2572522.pdf Description: ONSEMI - FDMC86570L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 3100 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+316.09 грн
10+206.11 грн
100+161.30 грн
500+124.82 грн
1000+107.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570L FDMC86570L ON Semiconductor / Fairchild FDMC86570L_D-2312636.pdf MOSFET 60V N Chan Shielded Gate Power Trench
на замовлення 9578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570L 2572522.pdf
FDMC86570L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86570L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 3100 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+161.30 грн
500+124.82 грн
1000+107.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570L FDMC86570L_D-2312636.pdf
FDMC86570L
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V N Chan Shielded Gate Power Trench
на замовлення 10398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+183.30 грн
10+148.56 грн
25+127.09 грн
100+99.85 грн
250+95.66 грн
500+85.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570L fdmc86570l-d.pdf
FDMC86570L
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 18A/56A POWER33
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6705 pF @ 30 V
на замовлення 4308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+236.45 грн
10+166.27 грн
100+129.34 грн
500+104.37 грн
1000+90.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570L fdmc86570l-d.pdf
FDMC86570L
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V N Chan Shielded Gate Power Trench
на замовлення 3620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+294.91 грн
10+191.12 грн
100+116.61 грн
500+97.06 грн
3000+90.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570L 2572522.pdf
FDMC86570L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86570L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 3100 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+316.09 грн
10+206.11 грн
100+161.30 грн
500+124.82 грн
1000+107.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86570L FDMC86570L_D-2312636.pdf
FDMC86570L
Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 60V N Chan Shielded Gate Power Trench
на замовлення 9578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.