Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDMC8854
FDMC8854

FDMC8854 Fairchild Semiconductor

ONSM-S-A0003590382-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 10 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
447+48.48 грн
Мінімальне замовлення: 447
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC8854 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8MLP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDMC8854

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMC8854 FDMC8854 Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDMC8854-D-1807774.pdf MOSFET 30V N-Ch Power Trench MOSFET
на замовлення 3504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8854 Виробник : FAI fdmc8854-d.pdf ONSM-S-A0003590382-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 09+
на замовлення 568 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8854 FDMC8854 Виробник : onsemi fdmc8854-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8854 FDMC8854 Виробник : onsemi fdmc8854-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.