Технічний опис FDMC8878 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMC8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16.5 A, 0.014 ohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції FDMC8878 за ціною від 43.91 грн до 137.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMC8878 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 317611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMC8878 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 1567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMC8878 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMC8878 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMC8878 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLPInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 31W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 16.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDMC8878 | onsemi / Fairchild |
MOSFET 30V N-CH PowerTrench MOSFET |
на замовлення 25534 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FDMC8878 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FDMC8878 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FDMC8878 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16.5 A, 0.014 ohm, Power 33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 93544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDMC8878 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 317611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 446+ | 79.34 грн |
| 500+ | 71.41 грн |
| 1000+ | 65.85 грн |
| 10000+ | 56.61 грн |
| 100000+ | 43.91 грн |
| FDMC8878 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 446+ | 79.34 грн |
| 500+ | 71.41 грн |
| 1000+ | 65.85 грн |
| FDMC8878 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 446+ | 79.34 грн |
| 500+ | 71.41 грн |
| 1000+ | 65.85 грн |
| FDMC8878 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 122.12 грн |
| 10+ | 100.43 грн |
| 25+ | 99.11 грн |
| 50+ | 57.34 грн |
| FDMC8878 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 16.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 16.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 137.16 грн |
| 10+ | 84.32 грн |
| 100+ | 56.82 грн |
| FDMC8878 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 30V N-CH PowerTrench MOSFET
MOSFET 30V N-CH PowerTrench MOSFET
на замовлення 25534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDMC8878 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDMC8878 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDMC8878 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16.5 A, 0.014 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FDMC8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16.5 A, 0.014 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 93544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





