FDMC8878 ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 34.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC8878 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 16.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDMC8878 за ціною від 37.71 грн до 139.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMC8878 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMC8878 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 317611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMC8878 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 1567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC8878 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 30V N-CH PowerTrench MOSFET |
на замовлення 25534 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMC8878 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLPInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 31W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 16.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMC8878 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |



