Продукція > ONSEMI > FDMC8878
FDMC8878

FDMC8878 ONSEMI

FAIR-S-A0002365638-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16.5 A, 0.014 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 93544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+37.22 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC8878 ONSEMI

Description: ONSEMI - FDMC8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16.5 A, 0.014 ohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції FDMC8878 за ціною від 32.58 грн до 140.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMC8878 FDMC8878 Виробник : ON Semiconductor fdmc8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+78.66 грн
10+67.78 грн
100+55.35 грн
500+47.09 грн
1000+36.26 грн
3000+32.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8878 FDMC8878 Виробник : ON Semiconductor fdmc8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+97.83 грн
10+80.45 грн
25+79.39 грн
50+45.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8878 FDMC8878 Виробник : onsemi / Fairchild FDMC8878_D-1807220.pdf MOSFET 30V N-CH PowerTrench MOSFET
на замовлення 25534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.01 грн
10+102.37 грн
100+69.15 грн
500+57.31 грн
1000+45.76 грн
3000+42.15 грн
6000+39.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8878 FDMC8878 Виробник : onsemi FAIR-S-A0002365638-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.86 грн
10+86.60 грн
100+58.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8878 FDMC8878 Виробник : ON Semiconductor fdmc8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8878 Виробник : ONSEMI FAIR-S-A0002365638-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDMC8878 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8878 FDMC8878 Виробник : onsemi FAIR-S-A0002365638-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.