FDMC8878 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16.5 A, 0.014 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 93544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 38.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC8878 ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16.5 A, 0.014 ohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції FDMC8878 за ціною від 38.05 грн до 144.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC8878 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC8878 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC8878 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 30V N-CH PowerTrench MOSFET |
на замовлення 25534 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC8878 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 16.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC8878 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
FDMC8878 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 16.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FDMC8878 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16.5A; 31W; WDFN8 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: WDFN8 Polarisation: unipolar On-state resistance: 20mΩ Power dissipation: 31W Drain current: 16.5A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V |
товару немає в наявності |