Технічний опис FDMC8878 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 16.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDMC8878 за ціною від 37.71 грн до 139.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMC8878 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMC8878 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 317611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMC8878 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 1567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC8878 | onsemi / Fairchild |
MOSFET 30V N-CH PowerTrench MOSFET |
на замовлення 25534 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMC8878 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLPInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 31W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 16.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMC8878 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDMC8878 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 446+ | 79.51 грн |
| 500+ | 71.56 грн |
| 1000+ | 66.00 грн |
| FDMC8878 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 317611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 446+ | 79.51 грн |
| 500+ | 71.56 грн |
| 1000+ | 66.00 грн |
| 10000+ | 56.73 грн |
| 100000+ | 44.01 грн |
| FDMC8878 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 446+ | 79.51 грн |
| 500+ | 71.56 грн |
| 1000+ | 66.00 грн |
| FDMC8878 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 30V N-CH PowerTrench MOSFET
MOSFET 30V N-CH PowerTrench MOSFET
на замовлення 25534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 109.16 грн |
| 10+ | 97.17 грн |
| 100+ | 65.64 грн |
| 500+ | 54.40 грн |
| 1000+ | 43.43 грн |
| 3000+ | 40.01 грн |
| 6000+ | 37.71 грн |
| FDMC8878 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 16.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 16.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 139.04 грн |
| 10+ | 85.48 грн |
| 100+ | 57.60 грн |
| FDMC8878 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




