FDMC8882

FDMC8882 onsemi


fdmc8882-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 15 V
на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.62 грн
6000+25.33 грн
9000+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC8882 onsemi

Description: ONSEMI - FDMC8882 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0124 ohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 18W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDMC8882 за ціною від 22.92 грн до 113.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMC8882 FDMC8882 Виробник : ONSEMI fdmc8882-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC8882 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0124 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.27 грн
500+30.43 грн
1000+26.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8882 FDMC8882 Виробник : ON Semiconductor fdmc8882-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 10.5A 8-Pin Power 33 EP T/R
на замовлення 2101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
290+42.03 грн
293+41.61 грн
329+37.11 грн
336+34.99 грн
500+30.15 грн
1000+24.68 грн
Мінімальне замовлення: 290
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8882 FDMC8882 Виробник : ON Semiconductor fdmc8882-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 10.5A 8-Pin Power 33 EP T/R
на замовлення 2101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+42.72 грн
16+39.03 грн
25+38.64 грн
100+33.23 грн
250+30.09 грн
500+26.88 грн
1000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8882 FDMC8882 Виробник : onsemi fdmc8882-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 15 V
на замовлення 34937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.69 грн
10+52.60 грн
100+40.92 грн
500+32.55 грн
1000+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8882 FDMC8882 Виробник : ONSEMI fdmc8882-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC8882 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0124 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+89.74 грн
16+53.68 грн
100+39.27 грн
500+30.43 грн
1000+26.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8882 FDMC8882 Виробник : onsemi / Fairchild fdmc8882-d.pdf MOSFETs 30V N-Channel Power Trench 174 MOSFET
на замовлення 9360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.88 грн
10+60.18 грн
100+37.14 грн
500+30.31 грн
1000+28.33 грн
3000+25.32 грн
6000+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8882 FDMC8882 Виробник : ON Semiconductor fdmc8882jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 10.5A 8-Pin Power 33 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8882 FDMC8882 Виробник : ON Semiconductor fdmc8882-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 10.5A 8-Pin Power 33 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8882 Виробник : ONSEMI fdmc8882-d.pdf FDMC8882 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.