FDMC8882 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 26.13 грн |
| 6000+ | 23.37 грн |
| 9000+ | 22.46 грн |
| 15000+ | 21.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC8882 onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції FDMC8882 за ціною від 23.84 грн до 108.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMC8882 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 30235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC8882 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30V N-Channel Power Trench 174 MOSFET |
на замовлення 9360 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|