Продукція > ONSEMI > FDMC8882
FDMC8882

FDMC8882 onsemi

fdmc8882-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+25.83 грн
6000+23.10 грн
9000+22.20 грн
15000+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC8882 onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDMC8882 за ціною від 26.64 грн до 61.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMC8882 FDMC8882 onsemi fdmc8882-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 30235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.22 грн
10+41.19 грн
100+32.91 грн
500+29.24 грн
1000+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8882 FDMC8882 onsemi / Fairchild fdmc8882-d.pdf MOSFETs 30V N-Channel Power Trench 174 MOSFET
на замовлення 9360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8882 fdmc8882-d.pdf
FDMC8882
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 30235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+61.22 грн
10+41.19 грн
100+32.91 грн
500+29.24 грн
1000+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8882 fdmc8882-d.pdf
FDMC8882
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V N-Channel Power Trench 174 MOSFET
на замовлення 9360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.