FDMC8882 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 15 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 27.69 грн |
| 6000+ | 25.39 грн |
| 9000+ | 24.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC8882 onsemi
Description: ONSEMI - FDMC8882 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0124 ohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 18W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDMC8882 за ціною від 22.98 грн до 114.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC8882 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC8882 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0124 ohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 18W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC8882 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 10.5A 8-Pin Power 33 EP T/R |
на замовлення 2101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC8882 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 10.5A 8-Pin Power 33 EP T/R |
на замовлення 2101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC8882 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 15 V |
на замовлення 34937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC8882 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC8882 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0124 ohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 18W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC8882 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30V N-Channel Power Trench 174 MOSFET |
на замовлення 9360 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC8882 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 10.5A 8-Pin Power 33 EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDMC8882 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 10.5A 8-Pin Power 33 EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FDMC8882 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 18W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 16A Power dissipation: 18W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.4mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| FDMC8882 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 18W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 16A Power dissipation: 18W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.4mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |