FDMC8884-F126 ONSEMI

Description: ONSEMI - FDMC8884-F126 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1106+ | 26.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC8884-F126 ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 9A/15A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDMC8884-F126
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDMC8884-F126 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FDMC8884-F126 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |