FDMC8884 Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: 9A, 30V, 0.019OHM, N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 626+ | 32.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC8884 Fairchild Semiconductor
Description: 9A, 30V, 0.019OHM, N-CHANNEL POW, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDMC8884 за ціною від 26.99 грн до 40.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMC8884 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A/15A 8MLPPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 15 V |
на замовлення 22691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMC8884 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 22691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMC8884 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 309693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMC8884 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 5326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMC8884 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 14382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMC8884 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMC8884 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 23886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMC8884 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMC8884 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 54870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| FDMC8884 | Виробник : On Semiconductor |
MOSFET N-CH 30V 9A POWER33 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
FDMC8884 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A/15A 8MLPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
FDMC8884 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30V N-Channel Power Trench |
товару немає в наявності |

