Продукція > ONSEMI > FDMC89521L
FDMC89521L

FDMC89521L onsemi

fdmc89521l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 16W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+62.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC89521L onsemi

Description: ONSEMI - FDMC89521L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.013 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.2A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 16W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 16W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDMC89521L за ціною від 52.15 грн до 211.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : ON Semiconductor fdmc89521l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+69.20 грн
6000+66.86 грн
9000+64.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : ON Semiconductor fdmc89521l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+73.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : ON Semiconductor fdmc89521l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+82.32 грн
6000+79.53 грн
9000+77.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : ONSEMI 2724474.pdf Description: ONSEMI - FDMC89521L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+88.67 грн
500+74.10 грн
1000+55.78 грн
5000+54.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : ON Semiconductor fdmc89521l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+94.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : ON Semiconductor fdmc89521l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+137.45 грн
108+119.58 грн
109+118.60 грн
127+98.12 грн
250+85.44 грн
500+76.08 грн
1000+66.67 грн
3000+66.16 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : ON Semiconductor fdmc89521l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+147.26 грн
10+128.13 грн
25+127.07 грн
100+105.13 грн
250+91.54 грн
500+81.51 грн
1000+71.43 грн
3000+70.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : ON Semiconductor fdmc89521l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 89970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+150.91 грн
10+130.09 грн
25+128.78 грн
50+122.54 грн
100+97.61 грн
250+87.87 грн
500+80.43 грн
1000+64.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : onsemi / Fairchild FDMC89521L-D.PDF MOSFETs 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 6883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.45 грн
10+105.84 грн
100+69.58 грн
500+60.59 грн
1000+58.71 грн
3000+52.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : ONSEMI fdmc89521l-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC89521L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 16W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+193.60 грн
10+117.95 грн
100+89.48 грн
500+73.19 грн
1000+65.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : onsemi fdmc89521l-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 16W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 5311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.00 грн
10+131.35 грн
100+90.46 грн
500+68.46 грн
1000+63.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDMC89521L_D-2312701.pdf MOSFET 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 5780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : ON Semiconductor fdmc89521l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L Виробник : ONSEMI fdmc89521l-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 8.2A; Idm: 40A; 16W; Power33
Mounting: SMD
Case: Power33
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 27mΩ
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 16W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.