Продукція > ONSEMI > FDMC89521L
FDMC89521L

FDMC89521L onsemi

fdmc89521l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 16W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+61.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC89521L onsemi

Description: ONSEMI - FDMC89521L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.2A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 16W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 16W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDMC89521L за ціною від 54.70 грн до 207.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMC89521L FDMC89521L ON Semiconductor fdmc89521l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+76.33 грн
6000+73.75 грн
9000+71.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L FDMC89521L ON Semiconductor fdmc89521l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+81.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L FDMC89521L ON Semiconductor fdmc89521l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+84.75 грн
6000+81.89 грн
9000+79.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L FDMC89521L ON Semiconductor fdmc89521l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+104.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L FDMC89521L ON Semiconductor fdmc89521l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+112.78 грн
10+98.54 грн
100+85.40 грн
500+73.26 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L FDMC89521L ON Semiconductor fdmc89521l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.63 грн
10+131.92 грн
25+130.84 грн
100+108.24 грн
250+94.25 грн
500+83.92 грн
1000+73.55 грн
3000+72.99 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L FDMC89521L ON Semiconductor fdmc89521l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+151.63 грн
108+131.92 грн
109+130.84 грн
127+108.24 грн
250+94.25 грн
500+83.92 грн
1000+73.55 грн
3000+72.99 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L FDMC89521L onsemi / Fairchild FDMC89521L-D.PDF MOSFETs 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 6883 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+180.88 грн
10+111.02 грн
100+72.99 грн
500+63.55 грн
1000+61.58 грн
3000+54.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L FDMC89521L onsemi fdmc89521l-d.pdf MOSFETs 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 143 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+184.29 грн
10+121.11 грн
100+82.64 грн
500+73.86 грн
1000+67.94 грн
3000+62.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L FDMC89521L onsemi fdmc89521l-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 16W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 5311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.49 грн
10+129.16 грн
100+88.95 грн
500+67.32 грн
1000+62.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L FDMC89521L ON Semiconductor / Fairchild FDMC89521L_D-2312701.pdf MOSFET 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 5780 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L FDMC89521L ONSEMI 2724474.pdf Description: ONSEMI - FDMC89521L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 16W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L FDMC89521L ONSEMI 2724474.pdf Description: ONSEMI - FDMC89521L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 16W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L fdmc89521l-d.pdf
FDMC89521L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+76.33 грн
6000+73.75 грн
9000+71.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L fdmc89521l-d.pdf
FDMC89521L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+81.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L fdmc89521l-d.pdf
FDMC89521L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+84.75 грн
6000+81.89 грн
9000+79.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L fdmc89521l-d.pdf
FDMC89521L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+104.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L fdmc89521l-d.pdf
FDMC89521L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+112.78 грн
10+98.54 грн
100+85.40 грн
500+73.26 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L fdmc89521l-d.pdf
FDMC89521L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+151.63 грн
10+131.92 грн
25+130.84 грн
100+108.24 грн
250+94.25 грн
500+83.92 грн
1000+73.55 грн
3000+72.99 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L fdmc89521l-d.pdf
FDMC89521L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
94+151.63 грн
108+131.92 грн
109+130.84 грн
127+108.24 грн
250+94.25 грн
500+83.92 грн
1000+73.55 грн
3000+72.99 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L FDMC89521L-D.PDF
FDMC89521L
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 6883 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+180.88 грн
10+111.02 грн
100+72.99 грн
500+63.55 грн
1000+61.58 грн
3000+54.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L fdmc89521l-d.pdf
FDMC89521L
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 143 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+184.29 грн
10+121.11 грн
100+82.64 грн
500+73.86 грн
1000+67.94 грн
3000+62.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L fdmc89521l-d.pdf
FDMC89521L
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 16W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 5311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+207.49 грн
10+129.16 грн
100+88.95 грн
500+67.32 грн
1000+62.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L FDMC89521L_D-2312701.pdf
FDMC89521L
Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 5780 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L 2724474.pdf
FDMC89521L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC89521L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 16W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L 2724474.pdf
FDMC89521L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC89521L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 16W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.