Продукція > ONSEMI > FDMC89521L
FDMC89521L

FDMC89521L onsemi

fdmc89521l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.9W (Ta), 16W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+62.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC89521L onsemi

Description: ONSEMI - FDMC89521L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.2A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 16W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 16W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDMC89521L за ціною від 52.23 грн до 241.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDMC89521L FDMC89521L ONSEMI 2724474.pdf Description: ONSEMI - FDMC89521L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 16W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+107.53 грн
500+83.21 грн
1000+71.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L FDMC89521L ON Semiconductor fdmc89521l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+112.28 грн
10+98.10 грн
100+85.02 грн
500+72.94 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L FDMC89521L onsemi / Fairchild FDMC89521L-D.PDF MOSFETs 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 6883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.71 грн
10+106.00 грн
100+69.69 грн
500+60.68 грн
1000+58.79 грн
3000+52.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L FDMC89521L onsemi fdmc89521l-d.pdf MOSFETs 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.97 грн
10+115.63 грн
100+78.91 грн
500+70.53 грн
1000+64.87 грн
3000+60.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L FDMC89521L onsemi fdmc89521l-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.9W (Ta), 16W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.32 грн
10+131.55 грн
100+90.59 грн
500+68.56 грн
1000+63.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L FDMC89521L ONSEMI 2724474.pdf Description: ONSEMI - FDMC89521L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 16W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+241.14 грн
10+156.41 грн
100+107.53 грн
500+83.21 грн
1000+71.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L FDMC89521L ON Semiconductor / Fairchild FDMC89521L_D-2312701.pdf MOSFET 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 5780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L 2724474.pdf
FDMC89521L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC89521L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 16W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+107.53 грн
500+83.21 грн
1000+71.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L fdmc89521l-d.pdf
FDMC89521L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+112.28 грн
10+98.10 грн
100+85.02 грн
500+72.94 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L FDMC89521L-D.PDF
FDMC89521L
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 6883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+172.71 грн
10+106.00 грн
100+69.69 грн
500+60.68 грн
1000+58.79 грн
3000+52.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L fdmc89521l-d.pdf
FDMC89521L
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+175.97 грн
10+115.63 грн
100+78.91 грн
500+70.53 грн
1000+64.87 грн
3000+60.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L fdmc89521l-d.pdf
FDMC89521L
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.9W (Ta), 16W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+211.32 грн
10+131.55 грн
100+90.59 грн
500+68.56 грн
1000+63.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L 2724474.pdf
FDMC89521L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC89521L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 16W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+241.14 грн
10+156.41 грн
100+107.53 грн
500+83.21 грн
1000+71.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521L FDMC89521L_D-2312701.pdf
FDMC89521L
Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 5780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.