Продукція > ONSEMI > FDMD82100L
FDMD82100L

FDMD82100L onsemi


FDMD82100L-D.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP
на замовлення 2525 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.21 грн
10+185.97 грн
100+149.47 грн
500+115.25 грн
1000+95.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMD82100L onsemi

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 80A; 38W; PQFN12, Kind of channel: enhancement, Case: PQFN12, Type of transistor: N-MOSFET x2, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Gate charge: 24nC, On-state resistance: 36mΩ, Power dissipation: 38W, Gate-source voltage: ±20V, Drain current: 24A, Pulsed drain current: 80A, Drain-source voltage: 100V, Polarisation: unipolar, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції FDMD82100L за ціною від 142.43 грн до 229.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMD82100L FDMD82100L Виробник : onsemi / Fairchild FDMD82100L_D-1807407.pdf MOSFET FET 100V 19.5 MOHM PQFN
на замовлення 9489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.26 грн
10+204.08 грн
25+171.37 грн
100+142.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD82100L Виробник : ONSEMI FDMD82100L-D.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 80A; 38W; PQFN12
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN12
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 38W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD82100L FDMD82100L Виробник : onsemi FDMD82100L-D.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD82100L Виробник : ONSEMI FDMD82100L-D.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 80A; 38W; PQFN12
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN12
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 38W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.