Продукція > ONSEMI > FDMD82100L
FDMD82100L

FDMD82100L onsemi


FDMD82100L-D.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP
на замовлення 2525 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+187.77 грн
10+ 163.01 грн
100+ 131.01 грн
500+ 101.02 грн
1000+ 83.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMD82100L onsemi

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 80A; 38W; PQFN12, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 24A, Pulsed drain current: 80A, Power dissipation: 38W, Case: PQFN12, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 36mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 24nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції FDMD82100L за ціною від 124.84 грн до 200.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMD82100L FDMD82100L Виробник : onsemi / Fairchild FDMD82100L_D-1807407.pdf MOSFET FET 100V 19.5 MOHM PQFN
на замовлення 9489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+200.95 грн
10+ 178.89 грн
25+ 150.21 грн
100+ 124.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMD82100L Виробник : ONSEMI FDMD82100L-D.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 80A; 38W; PQFN12
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38W
Case: PQFN12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMD82100L FDMD82100L Виробник : onsemi FDMD82100L-D.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP
товар відсутній
FDMD82100L Виробник : ONSEMI FDMD82100L-D.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 80A; 38W; PQFN12
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38W
Case: PQFN12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній