на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 214.27 грн |
| 10+ | 186.02 грн |
| 100+ | 149.51 грн |
| 500+ | 115.28 грн |
| 1000+ | 95.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMD82100L onsemi
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 80A; 38W; PQFN12, Kind of channel: enhancement, Case: PQFN12, Type of transistor: N-MOSFET x2, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Gate charge: 24nC, On-state resistance: 36mΩ, Power dissipation: 38W, Gate-source voltage: ±20V, Drain current: 24A, Pulsed drain current: 80A, Drain-source voltage: 100V, Polarisation: unipolar.
Інші пропозиції FDMD82100L за ціною від 142.47 грн до 229.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMD82100L | Виробник : onsemi / Fairchild |
 MOSFET FET 100V 19.5 MOHM PQFN |
на замовлення 9489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDMD82100L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| FDMD82100L | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 80A; 38W; PQFN12 Kind of channel: enhancement Case: PQFN12 Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 24nC On-state resistance: 36mΩ Power dissipation: 38W Gate-source voltage: ±20V Drain current: 24A Pulsed drain current: 80A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |