Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FDMD8240LET40

FDMD8240LET40 onsemi / Fairchild

Name: FDMD8240LET40
Brand: onsemi / Fairchild
SKU: 5169842-4
Price: 373.28 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 40V 103 A Dual NChnl Power Trench MOSFET

на замовлення 4150 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	93.32 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FDMD8240LET40 onsemi / Fairchild

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 73A; Idm: 489A; 50W; PQFN12, Case: PQFN12, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 73A, On-state resistance: 4.3mΩ, Type of transistor: N-MOSFET x2, Power dissipation: 50W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 56nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 489A, Mounting: SMD, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції FDMD8240LET40

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
FDMD8240LET40	Виробник : ONSEMI	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 73A; Idm: 489A; 50W; PQFN12 Case: PQFN12 Drain-source voltage: 40V Drain current: 73A On-state resistance: 4.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 56nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 489A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FDMD8240LET40	Виробник : onsemi	Description: MOSFET 2N-CH 40V 24A POWER3.3X5	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FDMD8240LET40	Виробник : onsemi	Description: MOSFET 2N-CH 40V 24A POWER3.3X5	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FDMD8240LET40	Виробник : ONSEMI	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 73A; Idm: 489A; 50W; PQFN12 Case: PQFN12 Drain-source voltage: 40V Drain current: 73A On-state resistance: 4.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 56nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 489A Mounting: SMD	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.