FDMD8240LET40 onsemi / Fairchild
на замовлення 4150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 97.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMD8240LET40 onsemi / Fairchild
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 73A; Idm: 489A; 50W; PQFN12, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 73A, Pulsed drain current: 489A, Power dissipation: 50W, Case: PQFN12, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 4.3mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 56nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції FDMD8240LET40
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMD8240LET40 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET 2N-CH 40V 24A POWER3.3X5 |
товару немає в наявності |
|
|
|
FDMD8240LET40 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 24A POWER3.3X5 |
товару немає в наявності |
|
| FDMD8240LET40 | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 73A; Idm: 489A; 50W; PQFN12 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 73A Pulsed drain current: 489A Power dissipation: 50W Case: PQFN12 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 56nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |