Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FDMD8260L
FDMD8260L

FDMD8260L onsemi / Fairchild

FDMD8260L_D-2312335.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 60V/20V Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 3395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMD8260L onsemi / Fairchild

Description: ONSEMI - FDMD8260L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 64 A, 64 A, 0.0045 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 64A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0045ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 37W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0045ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 37W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDMD8260L за ціною від 116.61 грн до 116.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMD8260L FDMD8260L ONSEMI 2907490.pdf Description: ONSEMI - FDMD8260L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 64 A, 64 A, 0.0045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 64A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 37W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 37W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 120190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8260L Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0001013603-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 12POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: 12-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5245pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-Power3.3x5
Part Status: Active
на замовлення 118715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+116.61 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8260L ON Semiconductor FAIR-S-A0001013603-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 60V 15A 12-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8260L 2907490.pdf
FDMD8260L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMD8260L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 64 A, 64 A, 0.0045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 64A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 37W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 37W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 120190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8260L FAIR-S-A0001013603-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 12POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: 12-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5245pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-Power3.3x5
Part Status: Active
на замовлення 118715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
181+116.61 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8260L FAIR-S-A0001013603-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 15A 12-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.