FDMD8260L ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMD8260L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 64 A, 64 A, 0.0045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 64A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 37W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 37W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 120190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 153.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMD8260L ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMD8260L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 64 A, 64 A, 0.0045 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 64A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0045ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 37W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0045ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 37W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FDMD8260L за ціною від 118.65 грн до 118.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMD8260L | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 60V/20V Dual N-Ch PowerTrench MOSFET |
на замовлення 3395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
| FDMD8260L | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 12POWER Packaging: Bulk Package / Case: 12-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5245pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 12-Power3.3x5 Part Status: Active |
на замовлення 118715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| FDMD8260L | Виробник : ONSEMI |
FDMD8260L Multi channel transistors |
товару немає в наявності |