FDMD8260LET60 onsemi / Fairchild
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMD8260LET60 onsemi / Fairchild
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N, Packaging: Bulk, Package / Case: 12-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5245pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 12-Power3.3x5, Part Status: Active.
Інші пропозиції FDMD8260LET60 за ціною від 225.32 грн до 225.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMD8260LET60 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
 Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, NPackaging: Bulk Package / Case: 12-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5245pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 12-Power3.3x5 Part Status: Active |
на замовлення 3036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| FDMD8260LET60 | Виробник : ONSEMI |
FDMD8260LET60 Multi channel transistors |
товар відсутній |