 
FDMD8280 Fairchild Semiconductor
на замовлення 2076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMD8280 Fairchild Semiconductor
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 38W; PQFN8, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 40A, Pulsed drain current: 160A, Power dissipation: 38W, Case: PQFN8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 12.4mΩ, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 44nC. 
Інші пропозиції FDMD8280
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | 
|---|---|---|---|---|---|
|   | FDMD8280 | Виробник : Fairchild Semiconductor |  Description: MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP | на замовлення 207621000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | |
|   | FDMD8280 | Виробник : Fairchild Semiconductor |  Description: MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP | на замовлення 21000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | |
| FDMD8280 | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |  MOSFET FET 80V 8.2 MOHM PQFN | на замовлення 2042 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | ||
| FDMD8280 | Виробник : ONSEMI |  Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 38W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 38W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.4mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 44nC | товару немає в наявності |