Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDMD8280

FDMD8280 Fairchild Semiconductor

Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP

на замовлення 207621000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FDMD8280 Fairchild Semiconductor

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 38W; PQFN8, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 40A, Pulsed drain current: 160A, Power dissipation: 38W, Case: PQFN8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 12.4mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 44nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції FDMD8280

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
FDMD8280	Виробник : Fairchild Semiconductor	Description: MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP	на замовлення 2076 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
FDMD8280	Виробник : Fairchild Semiconductor	Description: MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP	на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
FDMD8280	Виробник : ON Semiconductor / Fairchild	MOSFET FET 80V 8.2 MOHM PQFN	на замовлення 2042 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
FDMD8280	Виробник : ONSEMI	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 38W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 38W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FDMD8280	Виробник : ONSEMI	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 38W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 38W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.