FDMD8280 Fairchild Semiconductor
на замовлення 2076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMD8280 Fairchild Semiconductor
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 38W; PQFN8, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 40A, Pulsed drain current: 160A, Power dissipation: 38W, Case: PQFN8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 12.4mΩ, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 44nC.
Інші пропозиції FDMD8280
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMD8280 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
 Description: MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP |
на замовлення 207621000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
FDMD8280 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FDMD8280 | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET FET 80V 8.2 MOHM PQFN |
на замовлення 2042 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
| FDMD8280 | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 38W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 38W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.4mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 44nC |
товару немає в наявності |