Продукція > ONSEMI > FDMD8560L
FDMD8560L

FDMD8560L ONSEMI

ONSM-S-A0003590390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMD8560L - Dual-MOSFET, PowerTrench, n-Kanal, 60 V, 93 A, 0.0025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 93A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+170.91 грн
500+150.81 грн
1000+136.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMD8560L ONSEMI

Description: ONSEMI - FDMD8560L - Dual-MOSFET, PowerTrench, n-Kanal, 60 V, 93 A, 0.0025 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 93A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0025ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 48W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції FDMD8560L за ціною від 136.29 грн до 359.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMD8560L FDMD8560L Виробник : onsemi fdmd8560l-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A, 93A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11130pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 22A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power 5x6
Part Status: Obsolete
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+309.93 грн
10+268.29 грн
100+219.81 грн
500+175.61 грн
1000+148.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8560L FDMD8560L Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003590390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMD8560L - Dual-MOSFET, PowerTrench, n-Kanal, 60 V, 93 A, 0.0025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 93A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+359.67 грн
10+238.93 грн
100+170.91 грн
500+150.81 грн
1000+136.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8560L FDMD8560L Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDMD8560L_D-2312307.pdf MOSFET 60V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8560L Виробник : ON Semiconductor fdmd8560l-d.pdf
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8560L FDMD8560L Виробник : onsemi fdmd8560l-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A, 93A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11130pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 22A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power 5x6
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.