Продукція > ONSEMI > FDMD8560L
FDMD8560L

FDMD8560L onsemi

fdmd8560l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A, 93A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11130pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 22A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power 5x6
Part Status: Obsolete
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+300.09 грн
10+259.77 грн
100+212.83 грн
500+170.03 грн
1000+143.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMD8560L onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A, 93A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11130pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 22A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-Power 5x6, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції FDMD8560L за ціною від 158.90 грн до 158.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMD8560L FDMD8560L Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDMD8560L_D-2312307.pdf MOSFET 60V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8560L Виробник : ONSEMI fdmd8560l-d.pdf Description: ONSEMI - FDMD8560L - MOSFET, DUAL N-CH, 60V, 93A, PQFN-10
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+158.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8560L Виробник : ON Semiconductor fdmd8560l-d.pdf
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8560L FDMD8560L Виробник : onsemi fdmd8560l-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A, 93A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11130pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 22A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power 5x6
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.