FDMD86100 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8PWR 5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power 5x6
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 389.00 грн |
| 10+ | 249.61 грн |
| 100+ | 178.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMD86100 onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8PWR 5X6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-Power 5x6, Part Status: Active.
Інші пропозиції FDMD86100
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMD86100 | onsemi / Fairchild |
MOSFET FET 100V 10.5 MOHM PQFN56 |
на замовлення 2089 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDMD86100 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET FET 100V 10.5 MOHM PQFN56
MOSFET FET 100V 10.5 MOHM PQFN56
на замовлення 2089 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)