на замовлення 2089 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 290.25 грн |
| 10+ | 251.77 грн |
| 100+ | 187.54 грн |
| 250+ | 186.01 грн |
| 500+ | 171.47 грн |
| 1000+ | 154.63 грн |
| 3000+ | 150.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMD86100 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8PWR 5X6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-Power 5x6, Part Status: Active.
Інші пропозиції FDMD86100 за ціною від 190.98 грн до 415.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMD86100 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8PWR 5X6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power 5x6 Part Status: Active |
на замовлення 476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FDMD86100 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
FDMD86100 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8PWR 5X6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power 5x6 Part Status: Active |
товару немає в наявності |