Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FDMD86100
FDMD86100

FDMD86100 onsemi / Fairchild

FDMD86100_D-2312421.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET FET 100V 10.5 MOHM PQFN56
на замовлення 2089 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.27 грн
10+241.38 грн
100+179.81 грн
250+178.34 грн
500+164.40 грн
1000+148.25 грн
3000+143.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMD86100 onsemi / Fairchild

Description: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8PWR 5X6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-Power 5x6, Part Status: Active.

Інші пропозиції FDMD86100 за ціною від 183.10 грн до 398.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMD86100 FDMD86100 Виробник : onsemi fdmd86100-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8PWR 5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power 5x6
Part Status: Active
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+398.53 грн
10+255.72 грн
100+183.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD86100 FDMD86100 Виробник : ON Semiconductor 3666950291353807fdmd86100.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD86100 Виробник : ONSEMI fdmd86100-d.pdf FDMD86100 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD86100 FDMD86100 Виробник : onsemi fdmd86100-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8PWR 5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power 5x6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.