.jpg "FDMD8680")
FDMD8680 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 16A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Power - Max: 39W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-Power 5x6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 311.26 грн |
| 10+ | 269.46 грн |
| 100+ | 220.75 грн |
| 500+ | 176.36 грн |
| 1000+ | 148.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMD8680 onsemi
Description: MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 39W, Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330pF @ 40V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 16A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-Power 5x6, Part Status: Active.
Інші пропозиції FDMD8680
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMD8680 | onsemi / Fairchild |
MOSFET 80V Dual N Chnl PowerTrench MOSFET |
на замовлення 1924 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDMD8680 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 80V Dual N Chnl PowerTrench MOSFET
MOSFET 80V Dual N Chnl PowerTrench MOSFET
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)