Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FDMD8680
FDMD8680

FDMD8680 onsemi / Fairchild

FDMD8680_D-2312669.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 80V Dual N Chnl PowerTrench MOSFET
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+302.74 грн
10+268.90 грн
100+191.50 грн
500+163.05 грн
1000+137.38 грн
3000+129.75 грн
6000+129.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMD8680 onsemi / Fairchild

Description: MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 39W, Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330pF @ 40V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 16A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-Power 5x6, Part Status: Active.

Інші пропозиції FDMD8680 за ціною від 148.45 грн до 310.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMD8680 FDMD8680 Виробник : onsemi fdmd8680-d.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 39W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power 5x6
Part Status: Active
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+310.67 грн
10+268.94 грн
100+220.33 грн
500+176.02 грн
1000+148.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8680 FDMD8680 Виробник : onsemi fdmd8680-d.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 39W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power 5x6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.