Продукція > ONSEMI > FDMD8680
FDMD8680

FDMD8680 onsemi

fdmd8680-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 39W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power 5x6
Part Status: Active
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+324.23 грн
10+280.69 грн
100+229.95 грн
500+183.70 грн
1000+154.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMD8680 onsemi

Description: MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 39W, Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330pF @ 40V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 16A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-Power 5x6, Part Status: Active.

Інші пропозиції FDMD8680 за ціною від 140.08 грн до 328.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMD8680 FDMD8680 Виробник : onsemi / Fairchild FDMD8680_D-2312669.pdf MOSFET 80V Dual N Chnl PowerTrench MOSFET
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+328.60 грн
10+291.87 грн
100+207.86 грн
500+176.98 грн
1000+149.11 грн
3000+140.83 грн
6000+140.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8680 FDMD8680 Виробник : ON Semiconductor 3657637922899094fdmd8680.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 66A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8680 FDMD8680 Виробник : onsemi fdmd8680-d.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 39W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power 5x6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.