FDMD8900 ON Semiconductor / Fairchild
на замовлення 2494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMD8900 ON Semiconductor / Fairchild
Description: MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A, 17A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2605pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 19A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 12-Power3.3x5.
Інші пропозиції FDMD8900
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMD8900 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWERPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A, 17A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2605pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 19A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 12-Power3.3x5 |
товару немає в наявності |