Продукція > ONSEMI > FDME1023PZT
FDME1023PZT

FDME1023PZT onsemi

fdme1023pzt-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
Supplier Device Package: 6-MicroFET (1.6x1.6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 2.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 600mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 355000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+26.61 грн
10000+24.66 грн
25000+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDME1023PZT onsemi

Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6MICROFET, Supplier Device Package: 6-MicroFET (1.6x1.6), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 2.3A, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 600mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDME1023PZT за ціною від 25.31 грн до 65.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDME1023PZT FDME1023PZT onsemi fdme1023pzt-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 2.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (1.6x1.6)
на замовлення 358483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.87 грн
10+56.86 грн
100+44.31 грн
500+34.35 грн
1000+27.12 грн
2000+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDME1023PZT FDME1023PZT onsemi / Fairchild FDME1023PZT_D-2312792.pdf MOSFETs 20V Dual P-Channel PowerTrench
на замовлення 57999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDME1023PZT fdme1023pzt-d.pdf
FDME1023PZT
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 2.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (1.6x1.6)
на замовлення 358483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.87 грн
10+56.86 грн
100+44.31 грн
500+34.35 грн
1000+27.12 грн
2000+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDME1023PZT FDME1023PZT_D-2312792.pdf
FDME1023PZT
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 20V Dual P-Channel PowerTrench
на замовлення 57999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.