Продукція > ONSEMI > FDME1023PZT
FDME1023PZT

FDME1023PZT onsemi

fdme1023pzt-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 2.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (1.6x1.6)
на замовлення 355000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+27.19 грн
10000+25.20 грн
25000+24.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDME1023PZT onsemi

Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6MICROFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 600mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 2.3A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-MicroFET (1.6x1.6).

Інші пропозиції FDME1023PZT за ціною від 23.20 грн до 67.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDME1023PZT FDME1023PZT onsemi / Fairchild FDME1023PZT_D-2312792.pdf MOSFETs 20V Dual P-Channel PowerTrench
на замовлення 57999 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
9+36.70 грн
10+35.48 грн
100+28.15 грн
500+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDME1023PZT FDME1023PZT ON Semiconductor fdme1023pzt-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 4828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
397+36.84 грн
404+36.27 грн
410+35.70 грн
416+33.88 грн
500+30.86 грн
1000+29.14 грн
3000+28.66 грн
Мінімальне замовлення: 397 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDME1023PZT FDME1023PZT ON Semiconductor fdme1023pzt-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 4828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.41 грн
22+36.84 грн
25+36.27 грн
100+34.43 грн
250+31.37 грн
500+29.62 грн
1000+29.14 грн
3000+28.66 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDME1023PZT FDME1023PZT onsemi fdme1023pzt-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 2.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (1.6x1.6)
на замовлення 358483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.30 грн
10+58.10 грн
100+45.28 грн
500+35.10 грн
1000+27.71 грн
2000+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDME1023PZT FDME1023PZT_D-2312792.pdf
FDME1023PZT
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 20V Dual P-Channel PowerTrench
на замовлення 57999 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.70 грн
10+35.48 грн
100+28.15 грн
500+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDME1023PZT fdme1023pzt-d.pdf
FDME1023PZT
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 4828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
397+36.84 грн
404+36.27 грн
410+35.70 грн
416+33.88 грн
500+30.86 грн
1000+29.14 грн
3000+28.66 грн
Мінімальне замовлення: 397 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDME1023PZT fdme1023pzt-d.pdf
FDME1023PZT
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 4828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+37.41 грн
22+36.84 грн
25+36.27 грн
100+34.43 грн
250+31.37 грн
500+29.62 грн
1000+29.14 грн
3000+28.66 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDME1023PZT fdme1023pzt-d.pdf
FDME1023PZT
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 2.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (1.6x1.6)
на замовлення 358483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.30 грн
10+58.10 грн
100+45.28 грн
500+35.10 грн
1000+27.71 грн
2000+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.