FDME1024NZT onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (1.6x1.6)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 75.17 грн |
| 10+ | 45.44 грн |
| 100+ | 29.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDME1024NZT onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6MICROFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 600mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-MicroFET (1.6x1.6).
Інші пропозиції FDME1024NZT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDME1024NZT | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 20V Dual N-Channel PowerTrench |
на замовлення 39998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDME1024NZT |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 20V Dual N-Channel PowerTrench
MOSFETs 20V Dual N-Channel PowerTrench
на замовлення 39998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)