| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 53.66 грн |
| 10+ | 39.63 грн |
| 100+ | 26.02 грн |
| 500+ | 21.45 грн |
| 1000+ | 17.72 грн |
| 2500+ | 17.37 грн |
| 5000+ | 15.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDME1024NZT onsemi / Fairchild
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6MICROFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 600mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-MicroFET (1.6x1.6).
Інші пропозиції FDME1024NZT за ціною від 30.35 грн до 76.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDME1024NZT | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6MICROFETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 600mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (1.6x1.6) |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|