FDME1024NZT onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (1.6x1.6)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 26.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDME1024NZT onsemi
Description: ONSEMI - FDME1024NZT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.055 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: µFET, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDME1024NZT за ціною від 16.72 грн до 108.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDME1024NZT | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 20V Dual N-Channel PowerTrench |
на замовлення 39998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDME1024NZT | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDME1024NZT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.055 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: µFET Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDME1024NZT | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6MICROFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 600mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (1.6x1.6) |
на замовлення 5126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDME1024NZT | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 +1 |
FDME1024NZT | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3.8A; 1.4W; MicroFET Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.8A Gate charge: 4.2nC On-state resistance: 0.16Ω Power dissipation: 1.4W Gate-source voltage: ±8V Case: MicroFET Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Technology: PowerTrench® кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
+1 |
FDME1024NZT | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3.8A; 1.4W; MicroFET Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.8A Gate charge: 4.2nC On-state resistance: 0.16Ω Power dissipation: 1.4W Gate-source voltage: ±8V Case: MicroFET Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Technology: PowerTrench® |
товару немає в наявності |