Продукція > ONSEMI > FDME510PZT
FDME510PZT

FDME510PZT onsemi


fdme510pzt-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 6A MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: MicroFet 1.6x1.6 Thin
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 10 V
на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+26.08 грн
10000+23.96 грн
25000+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDME510PZT onsemi

Description: MOSFET P-CH 20V 6A MICROFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerUFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: MicroFet 1.6x1.6 Thin, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 10 V.

Інші пропозиції FDME510PZT за ціною від 24.11 грн до 66.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDME510PZT FDME510PZT Виробник : onsemi / Fairchild FDME510PZT_D-2312422.pdf MOSFETs -20V P-Channel PowerTrench
на замовлення 13749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+43.21 грн
10+42.16 грн
100+31.22 грн
500+27.47 грн
1000+25.10 грн
5000+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDME510PZT FDME510PZT Виробник : onsemi fdme510pzt-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6A MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: MicroFet 1.6x1.6 Thin
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 10 V
на замовлення 39867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.23 грн
10+52.22 грн
100+40.57 грн
500+32.27 грн
1000+26.29 грн
2000+24.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDME510PZT Виробник : ONSEMI fdme510pzt-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -15A; 2.1W; MicroFET
Mounting: SMD
Case: MicroFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -15A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDME510PZT Виробник : ONSEMI fdme510pzt-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -15A; 2.1W; MicroFET
Mounting: SMD
Case: MicroFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.