FDMJ1023PZ

FDMJ1023PZ Fairchild Semiconductor


FAIRS25631-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A SC75
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75, MicroFET
на замовлення 3462 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
626+34.83 грн
Мінімальне замовлення: 626
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMJ1023PZ Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A SC75, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 700mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.9A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-75, MicroFET.

Інші пропозиції FDMJ1023PZ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMJ1023PZ FDMJ1023PZ Виробник : ON Semiconductor 1072370804444043fdmj1023pz.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 6-Pin SC-75 MicroFET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMJ1023PZ FDMJ1023PZ Виробник : onsemi FDMJ1023PZ.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75, MicroFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.