Продукція > ONSEMI > FDMQ8203
FDMQ8203

FDMQ8203 onsemi

fdmq8203-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V, 850pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5)
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+44.30 грн
6000+41.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMQ8203 onsemi

Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, 80V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V, 850pF @ 40V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5), Part Status: Active.

Інші пропозиції FDMQ8203 за ціною від 40.58 грн до 167.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMQ8203 FDMQ8203 Виробник : onsemi fdmq8203-d.pdf Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V, 850pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5)
Part Status: Active
на замовлення 17884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.31 грн
10+95.78 грн
100+65.25 грн
500+48.98 грн
1000+47.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8203 FDMQ8203 Виробник : onsemi / Fairchild fdmq8203-d.pdf MOSFETs Dual PT5 N-Ch & Dual PT1 PCH PowerTrench
на замовлення 1701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.94 грн
10+109.05 грн
25+89.25 грн
100+68.26 грн
500+54.24 грн
1000+49.85 грн
3000+44.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8203 FDMQ8203 Виробник : onsemi FDMQ8203-D.PDF MOSFETs Dual PT5 N-Ch & Dual PT1 PCH PowerTrench
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.57 грн
10+104.24 грн
100+61.78 грн
500+50.06 грн
1000+47.13 грн
3000+40.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8203 Виробник : ON Semiconductor fdmq8203-d.pdf
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8203 Виробник : ONSEMI FDMQ8203.PDF Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-80V; 6/-6A; 2.5W; WDFN12
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100/-80V
Drain current: 6/-6A
Power dissipation: 2.5W
Case: WDFN12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 323/191mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19/5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
Semiconductor structure: common drain
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.