Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FDMQ8203
FDMQ8203

FDMQ8203 onsemi / Fairchild

fdmq8203-d.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs Dual PT5 N-Ch & Dual PT1 PCH PowerTrench
на замовлення 1701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.46 грн
10+118.59 грн
25+97.05 грн
100+74.23 грн
500+58.99 грн
1000+54.21 грн
3000+48.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMQ8203 onsemi / Fairchild

Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, 80V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V, 850pF @ 40V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5), Part Status: Active.

Інші пропозиції FDMQ8203 за ціною від 77.38 грн до 183.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMQ8203 FDMQ8203 Виробник : onsemi fdmq8203-d.pdf Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V, 850pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5)
Part Status: Active
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.73 грн
10+113.58 грн
100+77.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8203 Виробник : ON Semiconductor fdmq8203-d.pdf
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8203 FDMQ8203 Виробник : ON Semiconductor fdmq8203-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 100V/80V 3.4A/2.6A 12-Pin MLP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8203 FDMQ8203 Виробник : ON Semiconductor fdmq8203-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 100V/80V 3.4A/2.6A 12-Pin MLP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8203 Виробник : ONSEMI fdmq8203-d.pdf FDMQ8203 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ8203 FDMQ8203 Виробник : onsemi fdmq8203-d.pdf Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V, 850pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.