на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 117.79 грн |
| 6000+ | 112.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMQ8205A ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMQ8205A - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: -, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 12Pins, Produktpalette: GreenBridge 2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDMQ8205A за ціною від 107.14 грн до 335.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMQ8205A | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N/P-CH 12-Pin MLP EP T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMQ8205A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 12-Pin MLP EP T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMQ8205A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 12-Pin MLP EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMQ8205A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 12-Pin MLP EP T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMQ8205A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 12-Pin MLP EP T/R |
на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMQ8205A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMQ8205A - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: - rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 12Pins Produktpalette: GreenBridge 2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMQ8205A | Виробник : onsemi |
Description: GREENBRIDGETM 2 SERIES OF HIGH-E Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Type: Bridge Rectifier Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 57V (Max) Applications: Power Over Ethernet (PoE) Internal Switch(s): Yes FET Type: N and P-Channel Ratio - Input:Output: Bridge (2) Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5) Part Status: Active Current - Supply: 400 µA |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMQ8205A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMQ8205A - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: GreenBridge 2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 4994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMQ8205A | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bridge Rectifiers FET 100V QUAD N&P CHANNEL MLP |
на замовлення 11958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMQ8205A Код товару: 189272
Додати до обраних
Обраний товар
|
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
FDMQ8205A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 12-Pin MLP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FDMQ8205A | Виробник : ONSEMI |
FDMQ8205A Multi channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
FDMQ8205A | Виробник : onsemi |
Description: GREENBRIDGETM 2 SERIES OF HIGH-E Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Type: Bridge Rectifier Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 57V (Max) Applications: Power Over Ethernet (PoE) Internal Switch(s): Yes FET Type: N and P-Channel Ratio - Input:Output: Bridge (2) Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5) Part Status: Active Current - Supply: 400 µA |
товару немає в наявності |