Продукція > ONSEMI > FDMQ86530L
FDMQ86530L

FDMQ86530L ONSEMI

fdmq86530l-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMQ86530L - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0175 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0175ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0175ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+144.78 грн
500+101.03 грн
1000+91.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMQ86530L ONSEMI

Description: ONSEMI - FDMQ86530L - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0175 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0175ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0175ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Vierfach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMQ86530L за ціною від 100.60 грн до 307.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMQ86530L FDMQ86530L Виробник : onsemi / Fairchild fdmq86530l-d.pdf MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 23625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.79 грн
10+191.45 грн
25+161.14 грн
100+121.42 грн
250+116.84 грн
500+110.73 грн
1000+107.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ86530L FDMQ86530L Виробник : onsemi fdmq86530l-d.pdf Description: MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2295pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5)
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.57 грн
10+187.90 грн
100+132.43 грн
500+112.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ86530L FDMQ86530L Виробник : ONSEMI 2572523.pdf Description: ONSEMI - FDMQ86530L - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0175 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0175ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0175ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+307.55 грн
10+196.18 грн
100+140.50 грн
500+112.16 грн
1000+100.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ86530L FDMQ86530L Виробник : ON Semiconductor 3654824452760907fdmq86530l.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 12-Pin MLP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ86530L FDMQ86530L Виробник : ON Semiconductor 3654824452760907fdmq86530l.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 12-Pin MLP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ86530L FDMQ86530L Виробник : onsemi fdmq86530l-d.pdf Description: MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2295pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ86530L Виробник : ONSEMI fdmq86530l-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x4; unipolar; 60V; 8A; Idm: 50A; 22W; MLP12
Type of transistor: N-MOSFET x4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 22W
Case: MLP12
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level; MOSFET H-Bridge
Pulsed drain current: 50A
Gate charge: 33nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.