Продукція > ONSEMI > FDMQ86530L
FDMQ86530L

FDMQ86530L ONSEMI

fdmq86530l-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMQ86530L - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0175 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0175ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0175ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+136.15 грн
500+95.00 грн
1000+85.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMQ86530L ONSEMI

Description: ONSEMI - FDMQ86530L - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0175 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0175ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0175ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Vierfach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDMQ86530L за ціною від 89.08 грн до 289.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMQ86530L FDMQ86530L Виробник : onsemi / Fairchild fdmq86530l-d.pdf MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 23625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.15 грн
10+173.11 грн
25+145.70 грн
100+109.79 грн
250+105.65 грн
500+100.12 грн
1000+97.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ86530L FDMQ86530L Виробник : onsemi fdmq86530l-d.pdf Description: MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2295pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5)
на замовлення 1897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.78 грн
10+174.75 грн
100+123.13 грн
500+104.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ86530L FDMQ86530L Виробник : onsemi FDMQ86530L-D.pdf MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 11046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+289.21 грн
10+188.20 грн
100+115.32 грн
500+104.96 грн
1000+104.27 грн
3000+91.84 грн
6000+89.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ86530L FDMQ86530L Виробник : ONSEMI 2572523.pdf Description: ONSEMI - FDMQ86530L - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0175 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0175ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0175ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+289.21 грн
10+184.48 грн
100+132.12 грн
500+105.48 грн
1000+94.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ86530L FDMQ86530L Виробник : ON Semiconductor 3654824452760907fdmq86530l.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 12-Pin MLP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ86530L FDMQ86530L Виробник : ON Semiconductor 3654824452760907fdmq86530l.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 12-Pin MLP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ86530L FDMQ86530L Виробник : onsemi fdmq86530l-d.pdf Description: MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2295pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.