Продукція > ONSEMI > FDMS001N025DSD
FDMS001N025DSD

FDMS001N025DSD onsemi

fdms001n025dsd-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 25V 19A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 69A (Tc), 38A (Ta), 165A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 13V, 5105pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 19A, 10V, 0.92mOhm @ 38A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 104nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
247+90.54 грн
Мінімальне замовлення: 247
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS001N025DSD onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 25V 19A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 69A (Tc), 38A (Ta), 165A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 13V, 5105pF @ 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 19A, 10V, 0.92mOhm @ 38A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 104nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції FDMS001N025DSD за ціною від 140.30 грн до 140.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS001N025DSD Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013669896-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS001N025DSD - Dual-MOSFET, n-Kanal
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: TO-263AB
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+140.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS001N025DSD Виробник : ON Semiconductor fdms001n025dsd-d.pdf
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS001N025DSD FDMS001N025DSD Виробник : onsemi fdms001n025dsd-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 19A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 69A (Tc), 38A (Ta), 165A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 13V, 5105pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 19A, 10V, 0.92mOhm @ 38A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 104nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.