Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS003N08C
FDMS003N08C

FDMS003N08C ON Semiconductor

fdms003n08c-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
N Channel MOSFET
на замовлення 393000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+110.97 грн
96000+101.40 грн
192000+94.34 грн
288000+85.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS003N08C ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: Power56, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA, Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 147A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDMS003N08C за ціною від 243.73 грн до 475.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMS003N08C FDMS003N08C onsemi fdms003n08c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 147A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+252.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS003N08C FDMS003N08C onsemi fdms003n08c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 147A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+475.50 грн
10+392.52 грн
100+327.05 грн
500+270.81 грн
1000+243.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS003N08C FDMS003N08C onsemi FDMS003N08C-D.PDF MOSFETs FET 80V 147A 3.1 mOhm
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS003N08C FDMS003N08C ONSEMI FDMS003N08C-D.PDF Description: ONSEMI - FDMS003N08C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS003N08C ON Semiconductor fdms003n08c-d.pdf
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS003N08C fdms003n08c-d.pdf
FDMS003N08C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 147A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+252.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS003N08C fdms003n08c-d.pdf
FDMS003N08C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 147A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+475.50 грн
10+392.52 грн
100+327.05 грн
500+270.81 грн
1000+243.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS003N08C FDMS003N08C-D.PDF
FDMS003N08C
Виробник: onsemi
MOSFETs FET 80V 147A 3.1 mOhm
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS003N08C FDMS003N08C-D.PDF
FDMS003N08C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS003N08C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS003N08C fdms003n08c-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.