FDMS003N08C ON Semiconductor


fdms003n08c-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
N Channel MOSFET
на замовлення 393000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+115.18 грн
96000+105.25 грн
192000+97.92 грн
288000+89.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS003N08C ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 147A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA, Supplier Device Package: Power56, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 40 V.

Інші пропозиції FDMS003N08C за ціною від 247.30 грн до 723.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMS003N08C FDMS003N08C onsemi fdms003n08c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 40 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+256.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS003N08C FDMS003N08C onsemi fdms003n08c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 40 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+482.45 грн
10+398.26 грн
100+331.83 грн
500+274.77 грн
1000+247.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS003N08C FDMS003N08C onsemi fdms003n08c-d.pdf MOSFETs FET 80V 147A 3.1 mOhm
на замовлення 775 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+723.27 грн
10+486.25 грн
100+349.09 грн
500+311.48 грн
1000+294.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS003N08C FDMS003N08C ONSEMI FDMS003N08C-D.PDF Description: ONSEMI - FDMS003N08C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS003N08C fdms003n08c-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 40 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+256.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS003N08C fdms003n08c-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 40 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+482.45 грн
10+398.26 грн
100+331.83 грн
500+274.77 грн
1000+247.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS003N08C fdms003n08c-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs FET 80V 147A 3.1 mOhm
на замовлення 775 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+723.27 грн
10+486.25 грн
100+349.09 грн
500+311.48 грн
1000+294.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS003N08C FDMS003N08C-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS003N08C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.