FDMS007N08LC ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS007N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0067 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 92.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 106.60 грн |
| 500+ | 76.11 грн |
| 1000+ | 64.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS007N08LC ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS007N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0067 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 84A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 92.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 92.6W, Bauform - Transistor: PQFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDMS007N08LC за ціною від 64.88 грн до 244.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMS007N08LC | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS007N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0067 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 92.6W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS007N08LC | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 14A/84A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 92.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V |
на замовлення 2916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS007N08LC | Виробник : onsemi |
MOSFETs PTNG 80/20V IN 5X6 |
на замовлення 4057 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDMS007N08LC | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2890 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
FDMS007N08LC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FDMS007N08LC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
FDMS007N08LC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FDMS007N08LC | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 14A/84A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 92.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FDMS007N08LC | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 53A; Idm: 345A; 92.6W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 53A Pulsed drain current: 345A Power dissipation: 92.6W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |