Продукція > ONSEMI > FDMS007N08LC
FDMS007N08LC

FDMS007N08LC ONSEMI

ONSM-S-A0014594780-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS007N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0067 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 92.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 92.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+98.04 грн
500+71.41 грн
1000+64.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS007N08LC ONSEMI

Description: ONSEMI - FDMS007N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0067 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 84A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 92.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, Verlustleistung: 92.6W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PQFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm.

Інші пропозиції FDMS007N08LC за ціною від 64.61 грн до 225.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDMS007N08LC FDMS007N08LC onsemi fdms007n08lc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 14A/84A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 92.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V
на замовлення 2916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.70 грн
10+125.21 грн
100+86.62 грн
500+68.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS007N08LC FDMS007N08LC ONSEMI ONSM-S-A0014594780-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS007N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0067 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 92.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+216.17 грн
10+121.34 грн
100+98.04 грн
500+71.41 грн
1000+64.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS007N08LC FDMS007N08LC onsemi fdms007n08lc-d.pdf MOSFETs PTNG 80/20V IN 5X6
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.81 грн
10+131.49 грн
100+84.72 грн
500+72.32 грн
1000+66.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS007N08LC ON Semiconductor fdms007n08lc-d.pdf
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS007N08LC fdms007n08lc-d.pdf
FDMS007N08LC
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 14A/84A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 92.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V
на замовлення 2916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+200.70 грн
10+125.21 грн
100+86.62 грн
500+68.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS007N08LC ONSM-S-A0014594780-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMS007N08LC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS007N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0067 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 92.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+216.17 грн
10+121.34 грн
100+98.04 грн
500+71.41 грн
1000+64.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS007N08LC fdms007n08lc-d.pdf
FDMS007N08LC
Виробник: onsemi
MOSFETs PTNG 80/20V IN 5X6
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+225.81 грн
10+131.49 грн
100+84.72 грн
500+72.32 грн
1000+66.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS007N08LC fdms007n08lc-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.