FDMS0306AS onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 26A/49A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 40.04 грн |
| 6000+ | 37.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS0306AS onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 26A/49A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 26A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 59W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDMS0306AS за ціною від 33.17 грн до 111.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMS0306AS | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 26A/49A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 15 V |
на замовлення 11946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS0306AS | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET |
на замовлення 1908 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDMS0306AS | Виробник : FAIRCHILD |
QFN |
на замовлення 629 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
FDMS0306AS | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 26A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
FDMS0306AS | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 26A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FDMS0306AS | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 59W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 49A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 59W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 57nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| FDMS0306AS | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 59W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 49A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 59W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 57nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |