Продукція > ONSEMI > FDMS0308AS
FDMS0308AS

FDMS0308AS onsemi

fdms0308as-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS0308AS onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDMS0308AS за ціною від 19.87 грн до 96.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS0308AS FDMS0308AS Виробник : ONSEMI FAIR-S-A0002365438-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDMS0308AS - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0308AS FDMS0308AS Виробник : onsemi / Fairchild fdms0308as-d.pdf MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 8590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.42 грн
10+51.32 грн
100+32.07 грн
500+28.17 грн
1000+25.10 грн
3000+22.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0308AS FDMS0308AS Виробник : onsemi fdms0308as-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V
на замовлення 6764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.34 грн
10+56.88 грн
100+37.69 грн
500+27.63 грн
1000+25.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0308AS FDMS0308AS Виробник : onsemi fdms0308as-d.pdf MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 4391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.80 грн
10+59.33 грн
100+34.23 грн
500+26.91 грн
1000+22.87 грн
3000+20.36 грн
6000+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0308AS Виробник : FAIRCHILD fdms0308as-d.pdf QFN
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0308AS FDMS0308AS Виробник : ON Semiconductor fdms0308as-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0308AS Виробник : ONSEMI fdms0308as-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 50W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.