Продукція > ONSEMI > FDMS0309AS
FDMS0309AS

FDMS0309AS onsemi

fdms0309as-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/49A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.58 грн
6000+22.82 грн
9000+22.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS0309AS onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 21A/49A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 21A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDMS0309AS за ціною від 21.32 грн до 99.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS0309AS FDMS0309AS Виробник : onsemi / Fairchild FDMS0309AS-D.pdf MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 4025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.94 грн
10+61.79 грн
100+36.56 грн
500+29.54 грн
1000+26.74 грн
3000+21.40 грн
6000+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0309AS FDMS0309AS Виробник : onsemi fdms0309as-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 21A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V
на замовлення 38973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.31 грн
10+60.21 грн
100+39.81 грн
500+29.14 грн
1000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0309AS FDMS0309AS Виробник : ON Semiconductor 3670175908873469fdms0309as.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.