FDMS0309AS onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/49A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 23.00 грн |
| 6000+ | 20.52 грн |
| 9000+ | 19.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS0309AS onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/49A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 21A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDMS0309AS за ціною від 18.43 грн до 98.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMS0309AS | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET |
на замовлення 4025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS0309AS | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/49A 8PQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V |
на замовлення 38973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS0309AS | onsemi |
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET |
на замовлення 4025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| FDMS0309AS |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 4025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 82.96 грн |
| 10+ | 53.43 грн |
| 100+ | 31.62 грн |
| 500+ | 25.54 грн |
| 1000+ | 23.13 грн |
| 3000+ | 18.50 грн |
| 6000+ | 18.43 грн |
| FDMS0309AS |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V
на замовлення 38973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 89.31 грн |
| 10+ | 54.15 грн |
| 100+ | 35.80 грн |
| 500+ | 26.21 грн |
| 1000+ | 23.82 грн |
| FDMS0309AS |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 4025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 98.26 грн |
| 10+ | 60.89 грн |
| 100+ | 35.00 грн |
| 500+ | 27.34 грн |
| 1000+ | 23.75 грн |
| 3000+ | 20.43 грн |


