Продукція > ONSEMI > FDMS030N06B
FDMS030N06B

FDMS030N06B onsemi

fdms030n06b-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 22.1A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.1A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7560 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+111.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS030N06B onsemi

Description: ONSEMI - FDMS030N06B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.003 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, Verlustleistung: 104W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm.

Інші пропозиції FDMS030N06B за ціною від 122.96 грн до 332.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMS030N06B FDMS030N06B ON Semiconductor fdms030n06b-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 22.1A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+157.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS030N06B FDMS030N06B ON Semiconductor fdms030n06b-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 22.1A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+157.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS030N06B FDMS030N06B ON Semiconductor fdms030n06b-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 22.1A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+195.65 грн
500+186.22 грн
1000+175.62 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS030N06B FDMS030N06B onsemi fdms030n06b-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 22.1A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.1A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7560 pF @ 30 V
на замовлення 3596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+332.44 грн
10+212.00 грн
100+150.42 грн
500+122.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS030N06B FDMS030N06B ONSEMI 2729305.pdf Description: ONSEMI - FDMS030N06B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.003 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
на замовлення 2586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS030N06B FDMS030N06B onsemi fdms030n06b-d.pdf MOSFETs NCh 80V 120A 5.3mOhm PowerTrench MOSFET
на замовлення 8547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS030N06B FDMS030N06B ONSEMI 2729305.pdf Description: ONSEMI - FDMS030N06B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.003 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
на замовлення 2586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS030N06B Fairchild/ON Semiconductor FDMS030N06B-D.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 100, Ciss, пФ @ Uds, В = 7560 @ 30, Qg, нКл = 75 @ 10 В, Rds = 3 мОм, Ugs(th) = 4,5, Р, Вт = 104, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+248.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS030N06B fdms030n06b-d.pdf
FDMS030N06B
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 22.1A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+157.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS030N06B fdms030n06b-d.pdf
FDMS030N06B
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 22.1A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+157.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS030N06B fdms030n06b-d.pdf
FDMS030N06B
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 22.1A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
181+195.65 грн
500+186.22 грн
1000+175.62 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS030N06B fdms030n06b-d.pdf
FDMS030N06B
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 22.1A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.1A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7560 pF @ 30 V
на замовлення 3596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+332.44 грн
10+212.00 грн
100+150.42 грн
500+122.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS030N06B 2729305.pdf
FDMS030N06B
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS030N06B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.003 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
на замовлення 2586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS030N06B fdms030n06b-d.pdf
FDMS030N06B
Виробник: onsemi
MOSFETs NCh 80V 120A 5.3mOhm PowerTrench MOSFET
на замовлення 8547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS030N06B 2729305.pdf
FDMS030N06B
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS030N06B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.003 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
на замовлення 2586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS030N06B FDMS030N06B-D.pdf
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 100, Ciss, пФ @ Uds, В = 7560 @ 30, Qg, нКл = 75 @ 10 В, Rds = 3 мОм, Ugs(th) = 4,5, Р, Вт = 104, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+248.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.