FDMS030N06B onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 22.1A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.1A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7560 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 111.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS030N06B onsemi
Description: ONSEMI - FDMS030N06B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDMS030N06B за ціною від 108.18 грн до 305.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS030N06B | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS030N06B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS030N06B | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 22.1A/100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.1A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7560 pF @ 30 V |
на замовлення 3596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMS030N06B | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs NCh 80V 120A 5.3mOhm PowerTrench MOSFET |
на замовлення 9383 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS030N06B | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS030N06B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FDMS030N06B | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor |
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 100; Ciss, пФ @ Uds, В = 7560 @ 30; Qg, нКл = 75 @ 10 В; Rds = 3 мОм; Ugs(th) = 4,5; Р, Вт = 104; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerTDFN-8 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
FDMS030N06B | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 22.1A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| FDMS030N06B | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 104W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |