Продукція > ONSEMI > FDMS0310AS
FDMS0310AS

FDMS0310AS onsemi

fdms0310as-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.82 грн
6000+23.98 грн
9000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS0310AS onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDMS0310AS за ціною від 23.27 грн до 108.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS0310AS FDMS0310AS Виробник : ON Semiconductor fdms0310as-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.25 грн
6000+28.02 грн
9000+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310AS FDMS0310AS Виробник : ON Semiconductor fdms0310as-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
389+31.32 грн
395+30.83 грн
402+30.34 грн
408+28.79 грн
500+26.21 грн
1000+24.75 грн
Мінімальне замовлення: 389
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310AS FDMS0310AS Виробник : ON Semiconductor fdms0310as-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
639+47.66 грн
Мінімальне замовлення: 639
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310AS FDMS0310AS Виробник : ON Semiconductor fdms0310as-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
639+47.66 грн
Мінімальне замовлення: 639
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310AS FDMS0310AS Виробник : onsemi / Fairchild FDMS0310AS_D-2312614.pdf MOSFETs N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.34 грн
10+42.54 грн
100+30.24 грн
500+26.79 грн
1000+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310AS FDMS0310AS Виробник : onsemi fdms0310as-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 15 V
на замовлення 14997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.62 грн
10+53.82 грн
100+37.31 грн
500+30.34 грн
1000+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310AS FDMS0310AS Виробник : ON Semiconductor fdms0310as-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+108.28 грн
12+51.06 грн
25+50.98 грн
100+34.23 грн
250+30.48 грн
500+25.27 грн
1000+23.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310AS FDMS0310AS Виробник : ON Semiconductor fdms0310as-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310AS FDMS0310AS Виробник : ON Semiconductor fdms0310as-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310AS Виробник : ONSEMI fdms0310as-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 100A; 41W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 41W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310AS Виробник : ONSEMI fdms0310as-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 100A; 41W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 41W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.