FDMS0310AS onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 26.24 грн |
| 6000+ | 23.46 грн |
| 9000+ | 23.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS0310AS onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDMS0310AS за ціною від 18.71 грн до 99.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMS0310AS | onsemi |
MOSFETs N-Channel PowerTrench SyncFET |
на замовлення 9109 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS0310AS | onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Channel PowerTrench SyncFET |
на замовлення 9135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS0310AS | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 15 V |
на замовлення 14997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDMS0310AS | ONN |
|
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDMS0310AS |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel PowerTrench SyncFET
MOSFETs N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 9109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.36 грн |
| 10+ | 47.63 грн |
| 100+ | 29.48 грн |
| 500+ | 24.44 грн |
| 1000+ | 21.81 грн |
| 3000+ | 18.98 грн |
| 6000+ | 18.71 грн |
| FDMS0310AS |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel PowerTrench SyncFET
MOSFETs N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 9135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 86.98 грн |
| 10+ | 35.65 грн |
| 100+ | 21.75 грн |
| 500+ | 18.71 грн |
| FDMS0310AS |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 15 V
на замовлення 14997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 99.41 грн |
| 10+ | 52.65 грн |
| 100+ | 36.50 грн |
| 500+ | 29.68 грн |
| 1000+ | 25.33 грн |
| FDMS0310AS |
![]() |
Виробник: ONN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


