Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS0310AS
FDMS0310AS

FDMS0310AS ON Semiconductor

fdms0310as-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+22.24 грн
58+10.47 грн
100+9.47 грн
250+8.17 грн
500+7.29 грн
1000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS0310AS ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDMS0310AS за ціною від 19.66 грн до 101.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS0310AS FDMS0310AS Виробник : ON Semiconductor fdms0310as-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
509+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 509
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310AS FDMS0310AS Виробник : ON Semiconductor fdms0310as-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
490+24.88 грн
498+24.49 грн
506+24.10 грн
514+22.86 грн
522+20.82 грн
1000+19.66 грн
Мінімальне замовлення: 490
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310AS FDMS0310AS Виробник : onsemi fdms0310as-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.82 грн
6000+23.98 грн
9000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310AS FDMS0310AS Виробник : ON Semiconductor fdms0310as-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.25 грн
6000+28.02 грн
9000+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310AS FDMS0310AS Виробник : ON Semiconductor fdms0310as-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
710+42.88 грн
1000+39.55 грн
Мінімальне замовлення: 710
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310AS FDMS0310AS Виробник : ON Semiconductor fdms0310as-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
710+42.88 грн
1000+39.55 грн
Мінімальне замовлення: 710
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310AS FDMS0310AS Виробник : onsemi / Fairchild FDMS0310AS_D-2312614.pdf MOSFETs N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.34 грн
10+42.54 грн
100+30.24 грн
500+26.79 грн
1000+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310AS FDMS0310AS Виробник : onsemi fdms0310as-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 15 V
на замовлення 14997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.62 грн
10+53.82 грн
100+37.31 грн
500+30.34 грн
1000+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310AS FDMS0310AS Виробник : ON Semiconductor fdms0310as-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310AS FDMS0310AS Виробник : ON Semiconductor fdms0310as-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310AS Виробник : ONSEMI fdms0310as-d.pdf FDMS0310AS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.