Продукція > ONSEMI > FDMS0310S
FDMS0310S

FDMS0310S onsemi

fdms0310s-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
606+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS0310S onsemi

Description: ONSEMI - FDMS0310S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 42 A, 0.004 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 46W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal + Schottky, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDMS0310S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMS0310S FDMS0310S ON Semiconductor / Fairchild FDMS0310S_D-2312554.pdf MOSFET PT8 30V/20V NCH ERTR EN
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310S ONSEMI ONSM-S-A0003591099-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS0310S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 42 A, 0.004 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310S FDMS0310S_D-2312554.pdf
FDMS0310S
Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET PT8 30V/20V NCH ERTR EN
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0310S ONSM-S-A0003591099-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS0310S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 42 A, 0.004 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.