FDMS0312AS onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1815 pF @ 15 V
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 18.39 грн |
| 6000+ | 16.32 грн |
| 9000+ | 15.62 грн |
| 15000+ | 14.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS0312AS onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1815 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDMS0312AS за ціною від 14.47 грн до 74.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMS0312AS | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Channel PowerTrench SyncFET |
на замовлення 4460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDMS0312AS | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1815 pF @ 15 V |
на замовлення 331818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS0312AS | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 18A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FDMS0312AS | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 100A; 36W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 36W Case: Power56 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® Kind of package: reel; tape Gate charge: 31nC On-state resistance: 6.8mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 22A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 100A |
товару немає в наявності |