FDMS0312S Fairchild Semiconductor


FAIR-S-A0002363702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
на замовлення 3234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1229+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 1229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1229 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS0312S Fairchild Semiconductor

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDMS0312S за ціною від 18.05 грн до 69.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMS0312S FDMS0312S ON Semiconductor fdms0312s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312S FDMS0312S ON Semiconductor fdms0312s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312S FDMS0312S ON Semiconductor fdms0312s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1259+28.15 грн
10000+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 1259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312S FDMS0312S ON Semiconductor fdms0312s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1259+28.15 грн
Мінімальне замовлення: 1259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312S FDMS0312S ON Semiconductor fdms0312s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1259+28.15 грн
10000+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 1259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312S FDMS0312S onsemi fdms0312s-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.90 грн
10+42.11 грн
100+27.54 грн
500+19.95 грн
1000+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312S FDMS0312S onsemi FAIR-S-A0002363702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdms0312s-d.pdf MOSFETs 30V N-Chan SyncFET PowerTrench
на замовлення 6003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312S FDMS0312S onsemi / Fairchild FDMS0312S-D.PDF MOSFETs 30V N-Chan SyncFET PowerTrench
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312S FDMS0312S ONSEMI FAIR-S-A0002363702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDMS0312S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312S fdms0312s-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+21.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312S fdms0312s-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312S fdms0312s-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1259+28.15 грн
10000+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 1259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312S fdms0312s-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1259+28.15 грн
Мінімальне замовлення: 1259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312S fdms0312s-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1259+28.15 грн
10000+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 1259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312S fdms0312s-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.90 грн
10+42.11 грн
100+27.54 грн
500+19.95 грн
1000+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312S FAIR-S-A0002363702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdms0312s-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs 30V N-Chan SyncFET PowerTrench
на замовлення 6003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312S FDMS0312S-D.PDF
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V N-Chan SyncFET PowerTrench
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312S FAIR-S-A0002363702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS0312S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.