FDMS0312S Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS0312S Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Bulk, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active.
Інші пропозиції FDMS0312S за ціною від 18.01 грн до 69.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMS0312S | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS0312S | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS0312S | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS0312S | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS0312S | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS0312S | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V |
на замовлення 2770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDMS0312S | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30V N-Chan SyncFET PowerTrench |
на замовлення 4870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS0312S | FAIRCHILD |
QFN |
на замовлення 821 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDMS0312S |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 24.05 грн |
| FDMS0312S |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 24.13 грн |
| FDMS0312S |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1259+ | 28.09 грн |
| 10000+ | 25.04 грн |
| FDMS0312S |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1259+ | 28.09 грн |
| FDMS0312S |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1259+ | 28.09 грн |
| 10000+ | 25.04 грн |
| FDMS0312S |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 69.74 грн |
| 10+ | 42.01 грн |
| 100+ | 27.48 грн |
| 500+ | 19.90 грн |
| 1000+ | 18.01 грн |
| FDMS0312S |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V N-Chan SyncFET PowerTrench
MOSFETs 30V N-Chan SyncFET PowerTrench
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




