FDMS0312S ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 22.05 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS0312S ON Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDMS0312S за ціною від 15.20 грн до 83.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMS0312S | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS0312S | Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V |
на замовлення 3234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS0312S | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS0312S | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS0312S | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS0312S | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30V N-Chan SyncFET PowerTrench |
на замовлення 4870 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS0312S | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V |
на замовлення 1205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS0312S | onsemi |
MOSFETs 30V N-Chan SyncFET PowerTrench |
на замовлення 4709 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS0312S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS0312S - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDMS0312S |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 22.18 грн |
| FDMS0312S |
|
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
на замовлення 3234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 836+ | 27.49 грн |
| FDMS0312S |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1259+ | 29.09 грн |
| 10000+ | 25.94 грн |
| FDMS0312S |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1259+ | 29.09 грн |
| FDMS0312S |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1259+ | 29.09 грн |
| 10000+ | 25.94 грн |
| FDMS0312S |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V N-Chan SyncFET PowerTrench
MOSFETs 30V N-Chan SyncFET PowerTrench
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 66.45 грн |
| 10+ | 44.47 грн |
| 100+ | 26.48 грн |
| 500+ | 21.22 грн |
| 1000+ | 19.19 грн |
| 3000+ | 15.80 грн |
| 6000+ | 15.20 грн |
| FDMS0312S |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 76.97 грн |
| 10+ | 46.53 грн |
| 50+ | 34.37 грн |
| 100+ | 28.56 грн |
| 500+ | 22.05 грн |
| FDMS0312S |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs 30V N-Chan SyncFET PowerTrench
MOSFETs 30V N-Chan SyncFET PowerTrench
на замовлення 4709 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 83.83 грн |
| 10+ | 38.16 грн |
| 100+ | 29.34 грн |
| 500+ | 22.72 грн |
| 1000+ | 21.97 грн |
| 3000+ | 18.81 грн |
| FDMS0312S |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS0312S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDMS0312S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)