FDMS037N08B onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 37.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 104.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS037N08B onsemi
Description: MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 37.5 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 104.2W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide).
Інші пропозиції FDMS037N08B за ціною від 75.19 грн до 195.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMS037N08B | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS037N08B | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS037N08B | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDMS037N08B | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFNSupplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 104.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 37.5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active |
на замовлення 15898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDMS037N08B | onsemi / Fairchild |
MOSFETs PT7 75V 3.7mohm PQFN56 |
на замовлення 2264 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDMS037N08B | ONN |
|
на замовлення 2720 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDMS037N08B |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 103.65 грн |
| FDMS037N08B |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 104.23 грн |
| FDMS037N08B |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 197+ | 180.33 грн |
| 500+ | 162.65 грн |
| 1000+ | 149.69 грн |
| FDMS037N08B |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFN
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 104.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 37.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Description: MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFN
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 104.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 37.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
на замовлення 15898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 195.28 грн |
| 10+ | 135.51 грн |
| 100+ | 98.29 грн |
| 500+ | 79.61 грн |
| 1000+ | 75.19 грн |
| FDMS037N08B |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs PT7 75V 3.7mohm PQFN56
MOSFETs PT7 75V 3.7mohm PQFN56
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDMS037N08B |
![]() |
Виробник: ONN
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



