FDMS037N08B onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 37.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 104.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 81.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS037N08B onsemi
Description: MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 37.5 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 104.2W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide).
Інші пропозиції FDMS037N08B за ціною від 70.53 грн до 243.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMS037N08B | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS037N08B | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS037N08B | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS037N08B | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs PT7 75V 3.7mohm PQFN56 |
на замовлення 2264 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS037N08B | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFNSupplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 104.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 37.5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active |
на замовлення 15898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS037N08B | Виробник : onsemi |
MOSFETs PT7 75V 3.7mohm PQFN56 |
на замовлення 2124 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDMS037N08B | Виробник : ONN |
|
на замовлення 2720 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |


