Продукція > ONSEMI > FDMS037N08B
FDMS037N08B

FDMS037N08B onsemi

fdms037n08b-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 37.5 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS037N08B onsemi

Description: MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 104.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 37.5 V.

Інші пропозиції FDMS037N08B за ціною від 89.09 грн до 263.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMS037N08B FDMS037N08B ON Semiconductor fdms037n08b-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+103.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08B FDMS037N08B ON Semiconductor fdms037n08b-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+104.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08B FDMS037N08B ON Semiconductor fdms037n08b-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+107.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08B FDMS037N08B ON Semiconductor fdms037n08b-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+180.73 грн
500+163.01 грн
1000+150.02 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08B FDMS037N08B ON Semiconductor fdms037n08b-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+224.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08B FDMS037N08B onsemi fdms037n08b-d.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 37.5 V
на замовлення 14916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.28 грн
10+166.03 грн
100+116.00 грн
500+89.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08B FDMS037N08B onsemi fdms037n08b-d.pdf MOSFETs PT7 75V 3.7mohm PQFN56
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08B FDMS037N08B onsemi / Fairchild FDMS037N08B-D.pdf MOSFETs PT7 75V 3.7mohm PQFN56
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08B fdms037n08b-d.pdf
FDMS037N08B
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+103.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08B fdms037n08b-d.pdf
FDMS037N08B
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+104.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08B fdms037n08b-d.pdf
FDMS037N08B
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+107.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08B fdms037n08b-d.pdf
FDMS037N08B
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
197+180.73 грн
500+163.01 грн
1000+150.02 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08B fdms037n08b-d.pdf
FDMS037N08B
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+224.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08B fdms037n08b-d.pdf
FDMS037N08B
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 37.5 V
на замовлення 14916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+263.28 грн
10+166.03 грн
100+116.00 грн
500+89.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08B fdms037n08b-d.pdf
FDMS037N08B
Виробник: onsemi
MOSFETs PT7 75V 3.7mohm PQFN56
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08B FDMS037N08B-D.pdf
FDMS037N08B
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs PT7 75V 3.7mohm PQFN56
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.