Продукція > ONSEMI > FDMS037N08B
FDMS037N08B

FDMS037N08B onsemi

fdms037n08b-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 37.5 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+81.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS037N08B onsemi

Description: MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 104.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 37.5 V.

Інші пропозиції FDMS037N08B за ціною від 70.58 грн до 243.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS037N08B FDMS037N08B Виробник : ON Semiconductor fdms037n08b-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+97.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08B FDMS037N08B Виробник : ON Semiconductor fdms037n08b-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+98.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08B FDMS037N08B Виробник : ON Semiconductor fdms037n08b-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+105.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08B FDMS037N08B Виробник : ON Semiconductor fdms037n08b-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
197+164.93 грн
500+148.76 грн
1000+136.91 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08B FDMS037N08B Виробник : onsemi / Fairchild FDMS037N08B-D.pdf MOSFETs PT7 75V 3.7mohm PQFN56
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.59 грн
10+135.82 грн
100+85.96 грн
500+83.16 грн
1000+75.47 грн
3000+70.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08B FDMS037N08B Виробник : onsemi fdms037n08b-d.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 37.5 V
на замовлення 15898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.12 грн
10+137.48 грн
100+99.72 грн
500+80.77 грн
1000+76.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08B FDMS037N08B Виробник : ON Semiconductor fdms037n08b-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+204.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08B FDMS037N08B Виробник : onsemi fdms037n08b-d.pdf MOSFETs PT7 75V 3.7mohm PQFN56
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+243.77 грн
10+156.71 грн
100+95.74 грн
500+83.16 грн
1000+75.47 грн
3000+70.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08B Виробник : ONN fdms037n08b-d.pdf
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08B FDMS037N08B Виробник : ON Semiconductor fdms037n08b-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08B FDMS037N08B Виробник : ON Semiconductor fdms037n08b-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 19.9A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS037N08B Виробник : ONSEMI fdms037n08b-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; Idm: 400A; 104.2W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104.2W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.