FDMS039N08B onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 74.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS039N08B onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 40 V.
Інші пропозиції FDMS039N08B за ціною від 69.87 грн до 201.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS039N08B | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 19.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS039N08B | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 19.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS039N08B | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 40 V |
на замовлення 7191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS039N08B | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs FPS |
на замовлення 8711 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS039N08B | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 19.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
FDMS039N08B | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS039N08B - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
FDMS039N08B | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 19.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
FDMS039N08B | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 19.4A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FDMS039N08B | Виробник : ONSEMI |
FDMS039N08B SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |