Продукція > ONSEMI > FDMS10C4D2N
FDMS10C4D2N

FDMS10C4D2N onsemi

fdms10c4d2n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+93.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS10C4D2N onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDMS10C4D2N за ціною від 86.25 грн до 275.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS10C4D2N FDMS10C4D2N Виробник : onsemi / Fairchild fdms10c4d2n-d.pdf MOSFETs Energy Inversion DC-AC
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.29 грн
10+169.44 грн
100+106.41 грн
500+92.27 грн
3000+89.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS10C4D2N FDMS10C4D2N Виробник : onsemi fdms10c4d2n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 50 V
на замовлення 10519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.30 грн
10+173.40 грн
100+121.29 грн
500+92.95 грн
1000+86.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS10C4D2N FDMS10C4D2N Виробник : ON Semiconductor 3653876288408148fdms10c4d2n.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS10C4D2N Виробник : ONSEMI fdms10c4d2n-d.pdf FDMS10C4D2N SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.