Продукція > ONSEMI > FDMS10C4D2N
FDMS10C4D2N

FDMS10C4D2N onsemi

fdms10c4d2n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+90.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS10C4D2N onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDMS10C4D2N за ціною від 83.21 грн до 265.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMS10C4D2N FDMS10C4D2N onsemi fdms10c4d2n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 50 V
на замовлення 10519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.61 грн
10+167.30 грн
100+117.02 грн
500+89.68 грн
1000+83.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS10C4D2N FDMS10C4D2N onsemi / Fairchild FDMS10C4D2N-D.pdf MOSFETs Energy Inversion DC-AC
на замовлення 2545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS10C4D2N fdms10c4d2n-d.pdf
FDMS10C4D2N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 50 V
на замовлення 10519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+265.61 грн
10+167.30 грн
100+117.02 грн
500+89.68 грн
1000+83.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS10C4D2N FDMS10C4D2N-D.pdf
FDMS10C4D2N
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs Energy Inversion DC-AC
на замовлення 2545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.