Продукція > ONSEMI > FDMS10C4D2N
FDMS10C4D2N

FDMS10C4D2N onsemi

fdms10c4d2n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+91.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS10C4D2N onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDMS10C4D2N за ціною від 76.65 грн до 289.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS10C4D2N FDMS10C4D2N Виробник : onsemi / Fairchild FDMS10C4D2N-D.pdf MOSFETs Energy Inversion DC-AC
на замовлення 2545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.60 грн
10+148.00 грн
100+93.53 грн
500+90.72 грн
1000+82.28 грн
3000+76.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS10C4D2N FDMS10C4D2N Виробник : onsemi fdms10c4d2n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 50 V
на замовлення 10519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+270.58 грн
10+170.43 грн
100+119.21 грн
500+91.36 грн
1000+84.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS10C4D2N FDMS10C4D2N Виробник : onsemi fdms10c4d2n-d.pdf MOSFETs Energy Inversion DC-AC
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+289.62 грн
10+186.82 грн
100+114.63 грн
500+94.94 грн
1000+88.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.