FDMS10C4D2N onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 92.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS10C4D2N onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 50 V.
Інші пропозиції FDMS10C4D2N за ціною від 85.06 грн до 271.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS10C4D2N | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs Energy Inversion DC-AC |
на замовлення 2590 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMS10C4D2N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 50 V |
на замовлення 10519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMS10C4D2N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FDMS10C4D2N | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; Idm: 510A; 125W; Power56 Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 48A On-state resistance: 9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 65nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 510A Case: Power56 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| FDMS10C4D2N | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; Idm: 510A; 125W; Power56 Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 48A On-state resistance: 9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 65nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 510A Case: Power56 |
товару немає в наявності |