Продукція > ONSEMI > FDMS1D2N03DSD
FDMS1D2N03DSD

FDMS1D2N03DSD ONSEMI

2711350.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS1D2N03DSD - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 164 A, 164 A, 730 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 164A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 164A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 164A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 730µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 730µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 53932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS1D2N03DSD ONSEMI

Description: ONSEMI - FDMS1D2N03DSD - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 164 A, 164 A, 730 µohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 164A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 164A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 164A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 730µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 42W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 730µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 42W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDMS1D2N03DSD за ціною від 74.52 грн до 242.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDMS1D2N03DSD FDMS1D2N03DSD Виробник : ONSEMI 2711350.pdf Description: ONSEMI - FDMS1D2N03DSD - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 164 A, 164 A, 730 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 164A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 164A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 730µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 730µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 53932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS1D2N03DSD FDMS1D2N03DSD Виробник : ON Semiconductor fdms1d2n03dsd-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 19A/37A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+82.97 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS1D2N03DSD FDMS1D2N03DSD Виробник : ON Semiconductor fdms1d2n03dsd-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 19A/37A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 16964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
199+155.75 грн
500+140.28 грн
1000+128.93 грн
10000+111.40 грн
Мінімальне замовлення: 199
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS1D2N03DSD FDMS1D2N03DSD Виробник : ON Semiconductor fdms1d2n03dsd-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 19A/37A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
199+155.75 грн
500+140.28 грн
1000+128.93 грн
10000+111.40 грн
Мінімальне замовлення: 199
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS1D2N03DSD FDMS1D2N03DSD Виробник : onsemi FDMS1D2N03DSD_D-1807910.pdf MOSFET PT11N 30/12 & PT11
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.20 грн
10+214.43 грн
25+175.89 грн
100+150.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS1D2N03DSD FDMS1D2N03DSD Виробник : ON Semiconductor fdms1d2n03dsd-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 19A/37A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS1D2N03DSD FDMS1D2N03DSD Виробник : onsemi fdms1d2n03dsd-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 19A/70A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 70A (Tc), 37A (Ta), 164A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410pF @ 15V, 4860pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 19A, 10V, 0.97mOhm @ 37A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V, 117nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.