Продукція > ONSEMI > FDMS1D2N03DSD
FDMS1D2N03DSD

FDMS1D2N03DSD onsemi

FDMS1D2N03DSD_D-1807910.pdf
Виробник: onsemi
MOSFET PT11N 30/12 & PT11
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS1D2N03DSD onsemi

Description: ONSEMI - FDMS1D2N03DSD - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 164 A, 164 A, 730 µohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 164A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 164A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 164A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 730µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 42W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 730µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 42W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDMS1D2N03DSD за ціною від 87.51 грн до 141.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDMS1D2N03DSD FDMS1D2N03DSD ONSEMI 2711350.pdf Description: ONSEMI - FDMS1D2N03DSD - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 164 A, 164 A, 730 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 164A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 164A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 164A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 730µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 730µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 53932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS1D2N03DSD FDMS1D2N03DSD ONSEMI 2711350.pdf Description: ONSEMI - FDMS1D2N03DSD - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 164 A, 164 A, 730 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 164A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 164A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 730µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 730µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 53932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS1D2N03DSD ON Semiconductor fdms1d2n03dsd-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 19A/37A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.05 грн
10+133.15 грн
25+130.72 грн
100+116.24 грн
250+101.69 грн
500+95.13 грн
1000+91.32 грн
3000+87.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS1D2N03DSD 2711350.pdf
FDMS1D2N03DSD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS1D2N03DSD - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 164 A, 164 A, 730 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 164A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 164A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 164A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 730µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 730µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 53932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS1D2N03DSD 2711350.pdf
FDMS1D2N03DSD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS1D2N03DSD - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 164 A, 164 A, 730 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 164A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 164A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 730µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 730µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 53932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS1D2N03DSD fdms1d2n03dsd-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 19A/37A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+141.05 грн
10+133.15 грн
25+130.72 грн
100+116.24 грн
250+101.69 грн
500+95.13 грн
1000+91.32 грн
3000+87.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.